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王春丽

作品数：14 被引量：22H指数：3
供职机构：常州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇电路
  • 9篇信号
  • 8篇混沌信号
  • 5篇记忆元件
  • 4篇等效
  • 4篇等效电路
  • 4篇记忆
  • 4篇记忆系统
  • 3篇信号发生
  • 3篇混沌
  • 3篇发生器
  • 2篇单元电路
  • 2篇电路方程
  • 2篇电路形式
  • 2篇信号发生装置
  • 2篇值函数
  • 2篇双端
  • 2篇特性分析
  • 2篇通信
  • 2篇线性电路

机构

  • 14篇常州大学
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇中国电信
  • 1篇江苏理工学院

作者

  • 14篇王春丽
  • 13篇包伯成
  • 11篇胡丰伟
  • 6篇姜盼
  • 4篇邹相
  • 4篇武花干
  • 4篇于晶晶
  • 1篇冯霏
  • 1篇乔晓华
  • 1篇史致远

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器
本发明公开了一种一阶二极管桥电路实现的忆阻模拟器，包括二极管整流桥电路和一阶滤波电路。二极管整流桥电路包括二极管D1、D2、D3和D4；二极管D1的负极端与二极管D2的负极端相连，记作b端；二极管D2的正极端与二极管D3...
包伯成胡丰伟于晶晶姜盼王春丽
文献传递
一种记忆系统混沌信号产生器
本发明公开了一种记忆系统混沌信号产生器，包括记忆元件电路和三阶线性系统电路。记忆元件电路包括第一积分电路、设于第一积分电路后级第一乘法器、设于第一积分电路前级第八增益电路。三阶线性系统电路的输出端分别与第八增益电路输入端...
包伯成胡丰伟邹相武花干王春丽
文献传递
基于Jerk电路形式的多涡卷混沌信号发生装置及其方法
本发明公开了一种基于Jerk电路形式的多涡卷混沌信号发生装置，包括：I电路通道包括第一积分电路、设于第一积分电路前级的第二积分电路、设于第二积分电路前级第三积分电路；F电路通道包括函数发生器，设于函数发生电路前级的第四增...
包伯成姜盼胡丰伟于晶晶王春丽
忆感等效电路实现与忆阻电路建模分析
忆阻器的物理可实现性，使得忆阻元件及其各种应用电路得到了人们的广泛研究。忆感是理论上从忆阻推演出来的一种新的具有记忆功能的二端口非线性电路元件。本文回顾了忆阻、忆感等记忆元件的起源，给出了忆阻和忆感的定义，并对记忆元件的...
王春丽
关键词：记忆元件等效电路混沌电路动力学特性
文献传递
一种忆阻电路与非线性电路可切换的混沌信号源
本发明涉及一种基于蔡氏混沌电路系统实现的可切换混沌模拟电路。所述一种忆阻电路与非线性电路可切换的混沌信号源包括蔡氏混沌电路后级可切换模式主电路；其中可切换模式主电路由积分电路、设于积分电路后级的控制开关电路（S）、控制开...
包伯成胡丰伟王春丽姜盼
文献传递
记忆系统混沌信号产生器
本发明涉及一种具有记忆效应的非线性系统混沌信号产生器，即记忆系统混沌信号产生器。所述记忆系统混沌信号产生器包括一个三阶线性系统电路和一个记忆元件电路。采用本发明的混沌信号产生器可以实现一个系统动力学特性由其初始条件控制的...
包伯成邹相王春丽胡丰伟
文献传递
记忆系统混沌信号产生器
本发明涉及一种具有记忆效应的非线性系统混沌信号产生器，即记忆系统混沌信号产生器。所述记忆系统混沌信号产生器包括一个三阶线性系统电路和一个记忆元件电路。采用本发明的混沌信号产生器可以实现一个系统动力学特性由其初始条件控制的...
包伯成邹相王春丽胡丰伟
文献传递
一种记忆系统混沌信号产生器
本发明公开了一种记忆系统混沌信号产生器，包括记忆元件电路和三阶线性系统电路。记忆元件电路包括第一积分电路、设于第一积分电路后级第一乘法器、设于第一积分电路前级第八增益电路。三阶线性系统电路的输出端分别与第八增益电路输入端...
包伯成胡丰伟邹相武花干王春丽
文献传递
一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器
本发明公开一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器，二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R、电容C；二极管D1负极端与二极管D2负极端相连，记作e端；二极管D2正极...
包伯成于晶晶胡丰伟姜盼王春丽
文献传递
荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究被引量：15
2013年
忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.结果表明:荷控忆阻器的伏安关系具有斜体"8"字形紧磁滞回线特性,随其参数符号的不同,荷控忆阻器呈现出无源性和有源性,导致其电路特性发生相应的变化;相比无源荷控忆阻器,有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用.制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路,实验测量结果很好地验证了理论分析结果.
胡丰伟包伯成武花干王春丽
关键词：等效电路伏安关系电路特性
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