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王晨

作品数：86 被引量：90H指数：6
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 17篇学位论文
  • 15篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 19篇自动化与计算...
  • 7篇经济管理
  • 3篇医药卫生
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇社会学
  • 2篇政治法律
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇增强型
  • 8篇势垒
  • 8篇晶体管
  • 8篇浮栅
  • 8篇衬底
  • 7篇选通
  • 7篇图像
  • 7篇介质层
  • 7篇金属
  • 7篇开关
  • 7篇沟道
  • 6篇阴极
  • 6篇势垒层
  • 6篇图像修复
  • 5篇电压
  • 5篇旋涂
  • 5篇光纤
  • 4篇氮化镓
  • 4篇电流
  • 4篇少模光纤

机构

  • 86篇复旦大学
  • 7篇上海集成电路...
  • 3篇长飞光纤光缆...
  • 2篇南京信息工程...
  • 1篇吉林农业大学
  • 1篇陕西科技大学

作者

  • 86篇王晨
  • 40篇张卫
  • 28篇徐敏
  • 28篇徐赛生
  • 24篇王强
  • 17篇黄海
  • 12篇孙清清
  • 12篇黄自强
  • 8篇陈琳
  • 6篇汪卫
  • 6篇施伯乐
  • 5篇杜建洪
  • 4篇卢红亮
  • 4篇周鹏
  • 4篇余建军
  • 3篇王凯辉
  • 2篇丁士进
  • 2篇丁俊杰
  • 2篇周皓峰
  • 2篇王鹏飞

传媒

  • 4篇计算机研究与...
  • 2篇中国激光
  • 2篇计算机工程与...
  • 2篇上海市通信学...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇光学学报
  • 1篇计算机工程
  • 1篇延边大学学报...
  • 1篇计算机科学
  • 1篇陕西科技大学...
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 26篇2023
  • 17篇2022
  • 7篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 8篇2006
  • 6篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇1997
共 86 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
介质层的制备方法及介质层、器件及其制备方法
本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击...
王强张鹏浩徐敏潘茂林王路宇谢欣灵黄海杨妍楠徐赛生王晨张卫
具有pGaN插入结构的GaN HEMT器件以及制作方法
本发明提供了一种具有pGaN插入结构的GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层、势垒层、源极金属层、栅极以及漏极金属层；一个或两个以上的第一P型插入结构，形成于P‑GaN层与漏极金属层之间靠近P‑GaN层的一侧，贯穿势垒层...
潘茂林王路宇徐敏王强张鹏浩谢欣灵黄海钱乐雯杨妍楠徐赛生王晨张卫
双向阈值对称的选通器及其制备方法
本发明提供了双向阈值对称的选通器，所述双向阈值对称的选通器包括衬底、第一银电极、阻变层和第二银电极，阻变层的组成材料为有机无机杂化钙钛矿，选通器采用了平面对称的双电极结构，在电压刺激下，保证了选通器的第一银电极和第二银电...
王晨张卫黄阳唐灵芝
基于高k栅介质的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOS器件研究
基于Si的互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)器件跟随摩尔定律不断的按比例缩小已有几十载。随着单元内晶体管的集成度及工作频率越来越高，器件功耗密...
王晨
关键词：化合物半导体介电常数MOS器件传输特性
文献传递
GaN HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周...
王路宇张鹏浩徐敏陈鲲潘茂林王强谢欣灵黄海黄自强徐赛生王晨张卫
一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法
本发明公开一种分栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法。该分栅结构的半浮栅晶体管包括衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U型槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区...
晁鑫王晨陈琳孙清清张卫
文献传递
具有防破坏性击穿功能的GaN HEMT器件结构及制作方法
本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域...
王路宇张鹏浩徐敏王强潘茂林黄自强谢欣灵黄海徐赛生王晨张卫
一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法
本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂...
王路宇张鹏浩徐敏潘茂林王强黄自强谢欣灵黄海徐赛生王晨张卫
一种改进的基于DCT的静态图像水印算法被引量：7
2006年
基于DCT(离散余弦变换)的自适应水印算法因其优异的性能而被广泛地采用。该文基于DCT的自适应水印技术,提出了一种改进的水印算法。通过空间交迭的方法,该算法能够削弱传统DCT自适应水印算法的块状噪声,从而提高图像的品质。
杜彦王晨杜建洪
关键词：DCT自适应水印
一种应用于MOSFETs器件的超高速I<Sub>d</Sub>-V<Sub>g</Sub>测试方法
本发明属于金属氧化物半导体晶体管测试技术领域，具体涉及一种用于高性能MOSFET晶体管器件的I<Sub>d</Sub>-V<Sub>g</Sub>测试方法。该方法是在测试回路中用一个接近晶体管开态电阻阻值的片状电阻代替待...
王晨卢红亮孙清清周鹏王鹏飞张卫
文献传递
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