王灿
- 作品数：14 被引量：21H指数：4
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：河南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 随机稀释逾渗网络的弛豫慢化
- ＜正＞一、引言许多具有实际应用前景的材料,由于其固有的结构的随机性及在这种无规结构中所出现的新现象,无序系统中静态或动态现象的研究受到极大的关注,特别是,随机稀释的弹性网络中静态或动态力学性质。逾渗理论为描述空间随机过程...
- 刘长松朱震刚王灿
- 氧离子导体 La2Mo2O9中与氧离子扩散有关的弛豫内耗
- 用多功能内耗仪测量了氧离子导体 LaMoO的低频内耗-温度谱,发现在400K 附近出现一显著内耗峰．对该峰进行非线性拟合后,发现它是由两个典型的 Debye 型弛豫内耗峰叠加而成,对应模量的两个变化过程,其高温峰的弛豫强...
- 王先平方前锋王灿
- 关键词：氧离子导体扩散弛豫内耗
- 文献传递
- 石墨纤维增强铝基复合材料的内耗行为
- ＜正＞1．引言阻尼性能是金属基复合材料的重要性能之一。Wolfenden 等人认为,适用于多数复合材料的阻尼机制是：点缺陷、晶界、热弹性、位错以及各种形式的 F-M（Fiber- Matrix）界面等产生的阻尼。而通常起...
- 王灿水嘉鹏朱震刚李健
- 文献传递
- 热解碳基碳/碳复合材料的内耗特征与机制被引量：6
- 2001年
- 以高纯石墨为对照材料 ,初步研究了热解碳基碳 /碳复合材料的内耗行为 ,并根据实验结果提出了碳 /碳复合材料的内耗机制 :热滞弹性机制与静滞后型内耗机制。纤维 /基体的界面内耗效应对碳 /碳复合材料的内耗特性影响很大 ,它的存在使碳
- 侯向辉李贺军王灿朱震刚沈健
- 关键词：热解碳
- 热处理对6061Al/SiC_P复合材料阻尼性能的影响被引量：7
- 2001年
- 采用喷射共沉积方法制备了 6 0 6 1Al/SiCP 金属基复合材料 (MMC) ,研究了 5种热处理制度对其组织和阻尼性能的影响 .结果表明 :不同热处理状态的材料 ,在常温下内耗值基本相同 ,而在高温下则存在显著差别 .在 1 0 0℃～ 2 70℃温度范围内 ,阻尼能力的大小顺序为 :炉冷 >空冷 >-70℃淬火 >原样 >-1 95℃淬火 >水淬 ;在试验温度范围内 ( 30℃～ 4 0 0℃ ) ,模量随温度的升高表现为单调下降 ,随应变振幅的增加而增加 ;同一频率下 。
- 顾金海王西科顾敏王灿朱震刚
- 关键词：阻尼性能铝基复合材料显微组织
- PZT铁电陶瓷的低频内耗研究
- 用传统的固态反应法制备了 Pb(ZrTi)O铁电陶瓷,在低频扭摆上采用强迫振动的方式,在 0．05～4 Hz 的频率范围内测量了 PZT 铁电陶瓷的内耗温度特征．在室温至350℃的内耗-温度曲线上,290 ℃和150℃附...
- 王灿石云方前锋朱震刚
- 关键词：PZT铁电陶瓷内耗
- 文献传递
- 喷射共沉积SiCp增强6061Al MMC的阻尼特性研究
- ＜正＞一、引言 J．Zhang,R．J．Perez 和 J．Lavernia 研究了采用喷射共沉积制备的 SiC 和石墨增强6061A1 MMC,并采用 DMTA 测量了所制备的各种 MMC 在频率为0．1～30Hz,温...
- 张迎元乐永康王灿
- 非晶态PdCuSi的内耗和DSC研究
- 1996年
- 用葛摆测量了ａ－ＰｄＣｕＳｉ合金的内耗－温度曲线，证明在该合金的Ｔｇ和Ｔｘ温度附近有两个内耗峰Ｐ１和Ｐ２．Ｐ２峰是与非晶晶化有关的内耗峰，而Ｐ１峰可能是弛豫型的内耗峰．分析了倒扭摆和Ｃｏｌｌｅｔｔｅ摆的灵敏度，阐述了这两种摆不适用于测量ａ—ＰｄＣｕＳｉ类合金的内耗峰．
- 水嘉鹏陈秀梅王灿
- 关键词：非晶态合金DSC铅基合金
- 氧离子导体La2Mo2O9中与氧离子扩散有关的弛豫内耗
- 用多功能内耗仪测量了氧离子导体La<,2>Mo<,2>O<,9>的低频内耗-温度谱,发现在400K附近出现一显著内耗峰,对该峰进行非线性拟合后,发现它是由两个典型的Debye型弛豫内耗峰叠加而成,对应模量的两个变化过程,...
- 王先平方前锋王灿
- 关键词：氧离子导体弛豫内耗
- 文献传递
- PZT铁电陶瓷的低频内耗研究
- 2001年
- 用传统的固态反应法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电陶瓷，在低频扭摆上采用强迫振动的方式，在０．０５～４ Ｈｚ的频率范围内测量了ＰＺＴ铁电陶瓷的内耗温度特征．在室温至 ３５０℃的内耗－温度曲线上，２９０℃和１５０℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰Ｐ１和 Ｐ２，并且在５０ ℃附近观察到一个较低的内耗峰．根据Ａｒ－ｒｈｅｎｉｕｓ关系，分别计算得到Ｐ１的激活能Ｅ１＝２．０９ｅＶ，τ０１＝３×１０－２０ｓ，Ｐ２的激活能Ｅ２＝１．０４ｅＶ， ０２＝８×１０－１４ｓ，并且分析了 Ｐ１和 Ｐ２内耗峰的机制．
- 王灿石云方前锋朱震刚
- 关键词：PZT铁电陶瓷内耗
