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田凤军

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：黑龙江大学敏感技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电路
  • 1篇双注入
  • 1篇微机电系统
  • 1篇机电系统
  • 1篇各向异性腐蚀
  • 1篇N^+
  • 1篇MEMS
  • 1篇MEMS技术
  • 1篇差分电路
  • 1篇磁敏
  • 1篇电系统

机构

  • 2篇黑龙江大学

作者

  • 2篇温殿忠
  • 2篇田凤军
  • 1篇赵晓锋

传媒

  • 2篇传感器技术

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于SOI硅片研制新型P^+-I-N^+双注入磁敏差分电路被引量：1
2005年
阐述基于SOI硅片制造新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。构成新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明:此种三极管具有磁灵敏度高、噪声低和可靠性高的特点。因此,由这种新型磁敏三极管构成的差分电路具有温度漂移小的优点。
田凤军温殿忠
关键词：微机电系统各向异性腐蚀
采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究被引量：4
2004年
给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性,对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高,最大可达227%/T,具有负温度系数且温度系数较小。同时,给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。
赵晓锋田凤军温殿忠
关键词：MEMS技术
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