蒋华平
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金军事电子预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 隔离型和隧道型RC-IGBT新结构与耐压设计
- 在现代的电力电子系统中IGBT（Insulate-gated Bipolar Transistor）常常需要与反向并联的快恢复二极管（Fast Recovery Diode，简称为FRD）配合使用。因此将FRD与IGBT...
- 蒋华平
- 关键词：快恢复二极管双极型晶体管单片集成
- 局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型被引量：2
- 2006年
- 提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓度的分析,澄清了长期以来对于最优局域低寿命区位置的不同看法,将各种结论统一起来.
- 方健蒋华平乔明张波李肇基
- 关键词：局域寿命控制电导调制
- 一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管
- 一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规RC-IGBT的在N集电区（9）和N缓冲区（8）之间引入一个P浮空区（7），以消除其snapback效应，降低器件的关断损耗。新...
- 陈万军蒋华平章晋汉张波
- 文献传递
- 高压互连线的Galerkin边界元法
- 2008年
- 针对有限元法难以处理求解区域具有奇异边界的边值问题和计算量相对较大的不足,采用常单元离散形式的Galerkin边界元法处理简化的二维高压互连线问题。在计算系数矩阵元的奇异二重积分时,采用解析的方法,将该算法的误差限制在边界及边界函数的离散上,提高了精度。用Matlab编写了程序,计算结果表明,所提出的方法是有效可行的。
- 蒋华平方健乔明
- 关键词：解析积分
- 一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
- 本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅...
- 陈万军李震洋蒋华平刘超古云飞程武张波
- 一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法
- 本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅...
- 陈万军李震洋蒋华平刘超古云飞程武张波
- 文献传递
