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赵小如

作品数:24 被引量:56H指数:5
供职机构:西北工业大学理学院应用物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 13篇溶胶
  • 8篇光电
  • 7篇溶胶-凝胶法
  • 7篇透明导电
  • 6篇光电性
  • 6篇光电性能
  • 5篇溶胶凝胶
  • 5篇退火
  • 5篇发光
  • 5篇掺杂
  • 4篇氧化钛
  • 4篇衬底
  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇导电薄膜
  • 3篇氧化锌
  • 3篇溶胶凝胶法
  • 3篇透明导电薄膜
  • 3篇透明导电氧化...
  • 3篇光强
  • 3篇光强度

机构

  • 24篇西北工业大学
  • 4篇商洛学院

作者

  • 24篇赵小如
  • 9篇段利兵
  • 8篇孙慧楠
  • 7篇史小龙
  • 6篇刘金铭
  • 5篇白晓军
  • 4篇关蒙萌
  • 4篇赵亮
  • 3篇刘涛
  • 3篇王亚君
  • 3篇谢海燕
  • 3篇刘凯
  • 2篇曹萌萌
  • 2篇牛红茹
  • 2篇王凤贵
  • 2篇刘波
  • 2篇张安
  • 2篇王丹红
  • 2篇冯娴娴
  • 2篇陈帅

传媒

  • 6篇人工晶体学报
  • 2篇材料导报
  • 2篇材料工程
  • 2篇西华大学学报...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法
本发明涉及一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法,其特征在于步骤如下:在室温下,将衬底用洗洁精溶液浸泡、用去离子水浸泡、采用V<Sub>水</Sub>:V<Sub>盐酸</Sub>=n:1的稀盐酸溶液浸泡、采用丙酮浸泡...
赵小如关蒙萌史小龙孙慧楠
文献传递
调节氧化锡和氧化钛复合半导体薄膜TiO<Sub>2</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>发光强度的方法
本发明涉及一种调节氧化锡和氧化钛复合半导体薄膜TiO<Sub>2</Sub>-SnO<Sub>2</Sub>发光强度的方法,通过采用两种溶胶混合的方法,实现了我们对半导体薄膜的发光强度进行可控调节,这就为我们将来在特定的...
赵小如王亚君孙慧楠牛红茹王凤贵
文献传递
基于溶液法工艺的柔性透明导电氧化物薄膜光电性能研究
近十多年来,硬质衬底上透明导电氧化物薄膜的研究取得了重大进展.伴随着可穿戴设备市场和电子器件轻便化需求的不断扩大,下一代基于柔性衬底光电器件的开发成为了当今国际上的研究热点之一.在有机柔性衬底上制备的透明导电氧化物薄膜具...
段利兵赵小如张阳阳沈浩刘蕊迪
关键词:溶液法透明导电氧化物薄膜光电性能
一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法
本发明涉及一种用于溶胶凝胶法提拉制膜的衬底清洗方法,其特征在于步骤如下:在室温下,将衬底用洗洁精溶液浸泡、用去离子水浸泡、采用V<Sub>水</Sub>:V<Sub>盐酸</Sub>=n:1的稀盐酸溶液浸泡、采用丙酮浸泡...
赵小如关蒙萌史小龙孙慧楠
MgO相分离对Mg_xZn_(1-x)O纳米粉体结构和光学性能的影响
2012年
采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体。X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,MgxZn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长。室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强。样品的室温透过率显示:MgxZn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小。
谢海燕赵小如段利兵白晓军刘金铭陈帅史小龙
关键词:溶胶-凝胶法光学性能
退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响被引量:4
2017年
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜)。研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响。结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性。高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10^(-2)Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率均大于85%。薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著。
刘涛赵小如蒋显武
关键词:溶胶-凝胶光电性能
Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能被引量:7
2015年
采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂Zn O薄膜(ZASO薄膜)。利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响。结果表明:预烧温度为500℃,Sn、Al掺杂浓度分别为1.0at%时,得到的ZASO薄膜的综合光电性能最好,晶粒尺寸较大,方块电阻可达3.3 kΩ/□,光学透过率达92.9%。
刘涛赵小如金宁
关键词:溶胶凝胶法预烧温度
SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2:Sb薄膜光电性能的影响被引量:3
2012年
以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。
陈帅赵小如段利兵白晓军刘金铭谢海燕关蒙萌
关键词:溶胶-凝胶法透明导电氧化物缓冲层
调节氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜ZnO-TiO<Sub>2</Sub>光学带隙的方法
本发明涉及一种调节氧化锌和氧化钛复合半导体薄膜ZnO-TiO<Sub>2</Sub>光学带隙的方法,其特征在于:通过采用混合两种溶胶的方法,实现了对两种材料的复合结构光学带隙可调,为以后实现宽禁带且高透过率的半导体器件的...
赵小如王亚君孙慧楠牛红茹王凤贵
文献传递
pH值对溶胶-凝胶法制备的掺铝氧化锌薄膜光电性能的影响被引量:24
2009年
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出c轴择优取向的ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溶胶pH值对其结构、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明:随着pH值的降低晶粒尺寸增大;当溶胶pH值从8.4降低到6.8时,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当pH值为7.2时其电阻率达到最小值2.6×10-3Ω.cm,进一步分析表明,溶胶pH值的变化影响了薄膜晶界散射,而后者又使载流子迁移率发生了变化;薄膜的透光率在可见光部分随着pH值的降低而升高,而禁带宽度则从3.36 eV降到3.32 eV。
刘凯赵小如赵亮姜亚军南瑞华魏炳波
关键词:溶胶-凝胶法透明导电薄膜铝掺杂
共3页<123>
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