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赵振乾

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇单晶
  • 3篇晶体
  • 3篇红外
  • 3篇红外材料
  • 2篇单晶材料
  • 2篇单晶体
  • 2篇真空密封
  • 2篇直流
  • 2篇直流输电
  • 2篇生长温度
  • 2篇输电
  • 2篇开关
  • 2篇化合物
  • 2篇固相
  • 2篇光电开关
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇电开关
  • 1篇熔融
  • 1篇熔融法

机构

  • 6篇中国科学院福...

作者

  • 6篇赵振乾
  • 5篇郭国聪
  • 5篇陈文通
  • 5篇邹建平
  • 3篇蔡丽珍
  • 2篇王明盛

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2007
  • 4篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。其单晶生长温度为700～850℃，控制坩埚下降速度为5～30mm/...
邹建平郭国聪陈文通蔡丽珍赵振乾
文献传递
一种半导体材料
新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg<Sub>2</Sub>Q<Sub>2</Sub>X<Sub>2</Sub>(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX<Sub>2</Sub>和...
陈文通郭国聪邹建平赵振乾王明盛
文献传递
新型半导体材料
新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg<Sub>2</Sub>Q<Sub>2</Sub>X<Sub>2</Sub> (Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX<Sub>2</Sub>...
陈文通郭国聪邹建平赵振乾王明盛
文献传递
含稀土的杂化型普鲁士蓝类配合物的合成结构和性质研究
普鲁士蓝类配合物具有高的TC温度和光-磁效应，显示出特别迷人的磁学性质；稀土元素具有相对大的和各向异性的磁矩，是磁性材料的重要组成部分：因此，含稀土的普鲁士蓝类配合物在分子磁性材料研究合成领域具有很大的潜力，而且，如果在...
赵振乾
关键词：磁性能晶体结构
汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料
汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料，涉及新型红外材料。该化合物由HgTe与InSb采用真空中高温固相合成法得到。其晶体结构为闪锌矿结构。其单晶材料生长生长温度为550～650℃，控制坩埚下降速度为10～50mm/h。其...
邹建平郭国聪陈文通蔡丽珍赵振乾
文献传递
掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料
掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料，涉及新型红外材料领域。掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物生长是采用高真空高温固相合成法或熔融法；其单晶生长采用布里奇曼方法；其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本新型红外材料是一种...
邹建平郭国聪陈文通蔡丽珍赵振乾
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