陈志川
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- La/_（1-x）Ca/_xMnO/_3薄膜微结构及温度—电阻特性的研究
- 本文采用射频磁控溅射法制备钙钛矿结构La/_/(1-x/)Ca/_xMnO/_3/(LCMO/)薄膜,采用热重-差热分析仪/(TG-DSC/)、X射线衍射仪/(XRD/)、原子力显微镜/(AFM/)、X射线光电子能谱仪/...
- 陈志川
- 文献传递
- Sm(Co,Cu,Fe,Zr)_z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究
- 2005年
- Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体中的畴壁钉扎研究一直是磁学领域中的关注点。本文首先建立了Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学模型,然后利用微磁学计算了胞壁相的物理参数对畴壁钉扎的影响。计算结果表明,只有合适的胞壁相厚度和磁晶各向异性常数才能获得高的钉扎场。
- 唐军彭斌张文旭张万里蒋洪川杨仕清陈志川
- 关键词：微磁学
- 伪邻近点法分析薄膜磁致伸缩测试中异常数据被引量：1
- 2007年
- 采用伪邻近点法,对薄膜磁致伸缩系数测试试验中得到的不同性质的测试数据分别进行处理,发现它们具有确定性的特征,从而可得测试中异常状态基本由系统本身引起,这样通过调节及改进测试系统就能减小其影响,得到较为可靠的光点位移数据。
- 唐军杨仕清张万里蒋洪川彭斌陈志川
- 关键词：计量学磁致伸缩白噪声
- 退火温度对SmCo永磁薄膜微结构及磁性能的影响(英文)被引量：2
- 2005年
- 采用直流磁控溅射法制备SmCo薄膜,研究了退火温度对薄膜微结构及磁性能的影响。XRD分析结果表明,当退火温度为600℃时,SmCo5相析出,而Sm2Co17相在700℃析出。SEM照片可看出,退火温度高于900℃时,六方柱状的SmCo5相和菱方状的Sm2Co17相全部析出。随着退火温度的升高,晶粒尺寸增大,当温度达940℃时,晶粒尺寸减小,而在980℃时,晶粒尺寸又将增大。VSM测试表明,与制备态的薄膜相比,退火后的薄膜在垂直于膜面方向的矫顽力、剩余磁化强度及最大磁能积都增大。960℃时得到矫顽力和剩余磁化强度的最大值,800℃时得到最大磁能积的最大值。
- 陈志川张万里蒋洪川彭斌唐军
- 关键词：退火微结构磁性能
