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陈浩然

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路重点实验室基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 4篇隧穿
  • 4篇共振隧穿
  • 4篇共振隧穿二极...
  • 4篇二极管
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇网络
  • 2篇环形电极
  • 2篇GAN
  • 2篇INGAN
  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇信息价值
  • 1篇势垒层
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇太赫兹
  • 1篇太赫兹波
  • 1篇太赫兹波段
  • 1篇贪婪算法
  • 1篇铁路

机构

  • 7篇西安电子科技...
  • 1篇重庆大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 7篇陈浩然
  • 3篇杨林安
  • 2篇田言
  • 2篇李月
  • 2篇陈安
  • 2篇郝跃
  • 1篇李向宁
  • 1篇张进成
  • 1篇朱樟明
  • 1篇胡盛东
  • 1篇王秀美
  • 1篇程培涛
  • 1篇林志宇
  • 1篇刘凡
  • 1篇陈世钗
  • 1篇赵胜雷
  • 1篇罗俊
  • 1篇晏开华
  • 1篇王媛

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究被引量：1
2013年
文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.
陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成
关键词：共振隧穿二极管GAN电离率
具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I‑V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n<Sup>+</Sup>GaN集...
杨林安陈浩然李月田言陈安郝跃
文献传递
基于改进yolov8s的铁路轨道扣件缺陷检测方法
本发明涉及目标检测技术领域，提供了一种基于改进yolov8s的铁路轨道扣件缺陷检测方法，该方法包括：获取轨道扣件图像；将轨道扣件图像输入构建好的缺陷检测网络，输出扣件缺陷类别和扣件缺陷位置；缺陷检测网络包括骨干网络、特征...
程培涛李艳龙王秀美范子祎张泽弘陈浩然雷璇娇李向宁
半导体器件老炼筛选试验设计被引量：4
2014年
老炼筛选试验是有效剔除内含固有工艺缺陷的半导体器件,以及保证半导体器件使用可靠性的重要途径。本文阐述了半导体器件早期失效的基本概念,并给出了半导体器件早期失效率的预计方法。在此基础上提出了半导体器件老炼筛选试验设计方法,以期最大限度地保证半导体器件出厂后的使用可靠性。
罗俊陈世钗胡盛东刘凡赵胜雷陈浩然晏开华王媛
关键词：半导体器件
具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法
本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I-V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n<Sup>+</Sup>GaN集...
杨林安陈浩然李月田言陈安郝跃
一种基于信息价值的自动驾驶典型场景下的车联网按需调度方法
本发明公开了一种基于信息价值的自动驾驶典型场景下的车联网按需调度方法，具体包括以下步骤：步骤一：建立基于AV控制系统的信息价值模型，目的是评估AV传递包的紧迫度；步骤二：建立车联网的通信模型，获得信道容量和包的接收概率；...
承楠王葳尹志胜陈浩然
文献传递
太赫兹波段GaN基共振隧穿器件的研究
近年来，氮化镓(GaN)基半导体材料与器件发展迅速，它被认为是继第一代和第二代半导体材料之后，第三代宽禁带半导体材料的代表。由于其具有高临界场强、高异质结界面二维电子气浓度、宽禁带、高导带断续、高热导率、高载流子饱和速率...
陈浩然
关键词：共振隧穿二极管
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