马腾才
- 作品数：197 被引量：595H指数：13
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 电子发射对稳态等离子体鞘层的影响
- 利用流体力学理论研究了电子发射对稳态鞘层的影响，文中考虑了电子和中性原子的碰撞，数值结果表明：与不考虑碰撞的结果相比，鞘层中的发射电子密度、发射电子能量，总粒子密度和鞘层电场强度都有了一定的变化当气体密度增加时，变化将更...
- 孟显王友年马腾才
- 关键词：电子发射等离子体鞘层
- 纳米碳管对MWPCVD过程增强金刚石形核的影响被引量：5
- 2000年
- 利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积 ( MWPCVD)实验装置 ,研究了硅基体表面沉积金刚石薄膜时纳米碳管对金刚石形核过程的影响。扫描电子显微镜 ( SEM)形貌分析结果显示 ,纳米碳管处理能够促进金刚石形核。对非研磨基体而言 ,这是一种有效的增强金刚石形核的表面预处理方式。
- 俞世吉丁振峰马腾才邬钦崇
- 关键词：纳米碳管金刚石薄膜
- 一种提高热障涂层耐氧化性能的处理方法
- 一种提高热障涂层耐氧化性能的处理方法，属于热障涂层表面处理与改性技术领域。该处理方法利用强流脉冲电子束辐照电子束物理气相沉积制备的氧化钇稳定的氧化锆热障涂层，实现陶瓷层柱状晶的封顶，从而提高涂层的隔热性能和高温耐氧化性能...
- 梅显秀王存霞武洪臣马腾才秦颖
- 碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响被引量：4
- 2006年
- 利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜。研究结果表明,碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着碳靶溅射偏压由-450 V提高到-650 V,薄膜中碳含量由19.0%增加到27.1%,sp3C-N键含量增多,薄膜生长速率由3.83 nm/min提高到5.83 nm/min,硬度在-600 V时达到最大值25.36 GPa。上述结果表明,提高碳靶溅射偏压,可以提高薄膜含碳量,得到性能较好的SiCN薄膜。
- 朴勇徐军高鹏丁万昱陆文琪马腾才
- 关键词：SICN化学结构力学性能
- 一种由煤连续制备泡沫炭材料的方法及装置
- 本发明属于煤化工、化学反应工程、等离子体科学以及炭素材料科学相交叉的技术领域。涉及一种以煤和水蒸汽为原料连续制备泡沫炭材料的方法及装置。该方法是将粉煤和高温的水蒸汽直接喷入直流电弧等离子体中来连续制备泡沫炭材料，一步完成...
- 邱介山何孝军赵宗彬孙天军周颖马腾才
- 强耦合简并电子气中离子阻止本领和能量离散的数值计算被引量：1
- 1990年
- 利用局域场修正的介电函数,研究了注入离子在强耦合简并电子气中的阻止本领和能量离散。数值结果表明在低速和高r_s值情况下,局域场修正使得阻止本领和能量离散明显地增加。
- 王友年马腾才
- 关键词：离子阻止本领
- 氩辉光放电中离子轰击阴极的蒙特卡罗模拟被引量：1
- 1993年
- 由蒙特卡罗方法模拟离子在氩直流辉光放电阴极位降区的运动,包括了离子与中性原子的电荷交换碰撞和弹性散射,得到了离子轰击阴极的能量分布和入射角分布。对于只考虑电荷交换碰撞的情形,比较了蒙特卡罗模拟结果和玻尔兹曼方程的解析结果,得到了完全相同的的离子轰击阴极的能量分布。模拟结果还表明绝大部分离子近于垂直入射阴极。
- 王德真宫野马腾才
- 关键词：辉光放电蒙特卡罗模拟
- 煤的水蒸气等离子体气化初步研究被引量：5
- 2004年
- 煤的水蒸气等离子体气化技术是一种生产合成气的洁净煤技术,具有潜在的应用前景,其技术核心部分是电弧等离子体反应器.以水蒸气为气化介质、空气为输送介质,对煤在电弧等离子体中的气化行为进行了研究;所用等离子体反应器由石墨管阳极和石墨棒阴极构成;反应器内的等离子体通过外置线圈产生的磁场进行约束和控制.结果表明:合成气中有效气体(H2+CO)的体积分数随着磁场线圈电流的增大或者等离子体反应器输入功率的增加而提高,产品气体中H2+CO的体积分数可达到75%,而CO2的体积分数始终低于3%,在产品气体中未检测到甲烷.
- 何孝军孙天军邱介山赵宗彬周颖郭淑红马腾才
- 关键词：煤水蒸气气化电弧等离子体
- 射频磁控溅射沉积SiO_2膜的研究被引量：8
- 1997年
- 研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．
- 刘艳红郭宝海马腾才
- 关键词：硅器件二氧化硅射频磁控溅射法
- 用强流脉冲离子束(HIPIB)方法在玻璃表面制备ITO膜被引量：5
- 2001年
- 强流脉冲离子束 (HIPIB)方法以新的成膜机理通过高强度 (约 10 8W /cm2 ) ,脉冲 (约 70ns)离子束照射到ITO陶瓷靶材上产生的高密度、高温二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上成功地制得ITO薄膜。经一次脉冲发射即可制得约 6 5nm厚的膜。通过原子力显微镜 (AFM)图象分析膜的表面形貌 ,膜的平整性与膜厚有直接关系 。
- 刘永兴王承遇马腾才夏元良谭畅
- 关键词：强流脉冲离子束氧化铟半导体薄膜原子力显微镜ITO薄膜
