黄大定
- 作品数：32 被引量：28H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学历史地理艺术更多>>
- GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
- 本文将介绍采用气固源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,以获得理想掺杂分布的HBT材料的结果.
- 黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影
- 关键词：分子束外延生长SIGE/SI原位掺杂控制技术半导体材料
- 文献传递
- 对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究被引量：2
- 1997年
- 对不同的O，Ce束流比条件下用离子束外延（IBE）方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱（AES）深度剖析测量．结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO2和林的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨．结果还表明IBECeO2／Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO2，而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性．
- 黄大定王军杰杨锡震吴正龙
- 关键词：离子束外延氧化铈硅
- 黄芝冈年谱(1940-1949)
- 2023年
- 1940年(“中华民国”二十九年),四十四岁。1月3日,往银行公会参观《回教近东访问团纪念物品展览会》。1月4日,为社长草《警政与新闻》讲稿大纲。夜,为蓬子主编之《蜀道》副刊写文一篇。1月10日,读周作人《自己的园地》,写《周作人与冯道》。1月17日午后一时,往晤常任侠,与臧云远、光未然遇。两人拟组一出版社,为戏剧音乐努力,约为发起人。
- 黄大定郑雷
- 关键词：中华民国戏剧音乐
- 高品质HBT用GSMBE生长Si/SiGe/Si材料
- 在国产设备上,研究了用气体源MBE(GSMBE)生长异质结Si/SiGe/Si HBT材料及其掺杂控制工艺,生长出高品质HBT用Si/SiGe/Si材料,器件的性能达到β=75;f<,T>=20GHz,这是迄今为止已见报...
- 黄大定刘超李建平邹德恕高斐孙殿照朱世荣孔梅影沈光地林兰英
- 关键词：SIGE材料双极晶体管
- 文献传递
- 高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究
- 1999年
- 基于CeO2／Si异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程，建立了扩散－反应方程，对有关的实测数据进行了计算机拟会，其结果与实验能很好地吻合．不同温度下的拟合结果还表明，异质结界面处O，Ce，Si的扩散系数及Si的氧化反应系数均随温度指数上升，并计算出扩散反应激活能．
- 吴正龙杨锡震李强胜黄大定
- 关键词：高温异质结氧化铈硅热退火
- 半导体材料硅中杂质和缺陷
- 梁俊吾黄大定
- 关键词：半导体材料晶体缺陷单晶硅
- X射线双晶法射表征部分弛豫SiGe/Si(100)合金
- 林燕霞刘金平黄大定李建平曾一平刘学锋孙殿照孔梅影
- 关键词：双晶衍射
- 用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜被引量：5
- 1995年
- 采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化铈（１１１），（２２２）峰，半高宽≤２３″。
- 黄大定秦复光姚振钰刘志凯任治璋林兰英高维滨任庆余
- 关键词：硅IBD
- GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布被引量：3
- 2001年
- 通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好 。
- 张秀兰朱文珍黄大定
- 关键词：电解液硅化锗载流子浓度
- 质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究被引量：1
- 1993年
- 采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。
- 黄大定姚振钰壬治璋王向明刘志凯秦复光
- 关键词：硅单晶
