黄宏娟
- 作品数：5 被引量：13H指数：2
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市人才强教计划项目北京市科委重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率半导体激光器和高亮度发光二极管的工艺研究
- 半导体激光器已成为当今光电子科学的核心技术产品，应用范围覆盖了整个光电子学领域。而半导体发光二极管则是半导体光电子显示的核心器件，主要优点为环保节能。目前大功率半导体激光器的电光转换效率基本小于50％，即有大于50％的电...
- 黄宏娟
- 关键词：半导体激光器发光二极管光功率
- 文献传递
- 大功率半导体激光器功率转换效率的研究被引量：1
- 2009年
- 针对980 nm大功率半导体激光器,分析了不同腔长下,最佳工作点功率转换效率的分布,分别计算了对应的光电转换效率,电压损失效率,阈值损失效率与缺陷损失效率随腔长的变化情况。分析表明随着腔长的增加,最佳输出功率值增加,但功率效率有所下降。缺陷损失效率是导致光电转换效率下降的主要因素,降低内损耗是提高最佳工作点功率转换效率最直接的方法。给出了不同内损耗情况下,最佳功率转换效率随腔长的分布。
- 崔碧峰黄宏娟张蕾张楠王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器功率转换效率大功率
- 双有源区隧道再生半导体激光器温度场分布研究被引量：8
- 2007年
- 针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型,分析了三种封装方式对芯片内部温度分布的影响;模拟结果表明加电后几微秒的时间内,芯片内温度场分布主要由隧道再生结构的热特性决定,与封装形式关系不大;在几微秒到几十或一百毫秒的时间范围内,有源区的温度上升很快;几百毫秒以后,器件温度达到稳态,有源区的平衡温度主要决定于载体的散热特性。稳态时靠近衬底的有源区温度高于靠近热沉的有源区的温度,但两有源区的温差很小,芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的脊形中心。
- 张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：半导体激光器瞬态稳态隧道再生封装
- 808nm半导体激光器烧结工艺的研究
- 2007年
- 研究了808 nm半导体激光器烧结过程中容易出现的“爬”铟现象,根据实验室的实验条件,采用了侧壁氧化结构来解决这个问题。制作了普通结构和侧壁氧化结构的激光器,烧结测试后发现:侧壁氧化结构的管芯烧结成品率可以达到95%以上,比普通结构的烧结成品率提高了20%。再将这两批管芯在500 mA下老化测试,发现:侧壁氧化的管芯寿命明显长于普通结构的管芯。
- 黄宏娟崔碧峰邹德恕张楠陈依新沈光地
- 关键词：半导体激光器
- 焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响被引量：5
- 2007年
- 针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到芯片内部的温度分布,焊料空隙的存在将导致空隙上方的芯片内部出现局部热点.随着焊料空隙的增大,芯片内热点区域增大,温度增高.位于芯片的条形电极中心下方的焊料空隙引起的芯片内部局部温升最大,并且沿腔长方向光出射腔面上温度相对较高,易引起光出射腔面上正反馈的电热烧毁,与实验结果吻合.
- 张蕾崔碧峰黄宏娟郭伟玲王智群沈光地
- 关键词：激光技术半导体激光器
