您的位置: 专家智库 > >

黄智勇

作品数:18 被引量:168H指数:8
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 10篇氮化硅
  • 10篇陶瓷
  • 6篇氮化
  • 5篇氮化硅薄膜
  • 5篇硅薄膜
  • 4篇力学性能
  • 4篇LPCVD
  • 4篇力学性
  • 3篇氮化硅陶瓷
  • 3篇显微结构
  • 3篇纳米
  • 3篇粉体
  • 3篇复合材料
  • 3篇复合材
  • 2篇氮化硅粉
  • 2篇氮化硅粉体
  • 2篇易损件
  • 2篇生长动力学
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇陶瓷基

机构

  • 18篇中国科学院
  • 5篇上海材料研究...
  • 5篇上海大学
  • 2篇上海交通大学

作者

  • 18篇黄智勇
  • 13篇刘学建
  • 9篇黄莉萍
  • 6篇潘裕柏
  • 5篇黄莉萍
  • 5篇李江
  • 5篇葛其明
  • 4篇张培志
  • 4篇陈晓阳
  • 3篇孙兴伟
  • 3篇宁金威
  • 3篇蒲锡鹏
  • 2篇金承钰
  • 2篇郭景坤
  • 1篇刘学健
  • 1篇宁金成
  • 1篇向长淑
  • 1篇张俊计
  • 1篇王翔
  • 1篇王翔

传媒

  • 4篇硅酸盐学报
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇陶瓷工程
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇陶瓷科学与艺...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇2003年第...

年份

  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 5篇2004
  • 6篇2003
  • 2篇2001
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化铝陶瓷低温烧结的研究现状和发展前景被引量:52
2001年
本文综述了氧化铝陶瓷低温烧结的研究现状 ,包括粉体的制备、处理、成型及烧结工艺 。
李江潘裕柏宁金威黄智勇郭景坤
关键词:氧化铝陶瓷
低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌被引量:10
2004年
以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.
刘学建金承钰张俊计黄智勇黄莉萍
关键词:LPCVD氮化硅薄膜沉积速率表面形貌
先进结构陶瓷工业基础易损件产业化关键技术(中科院)
刘学建黄莉萍孙兴伟葛其明潘裕柏黄智勇李江
该项目是由上海市科委于2002年通过招标资助的上海市重点攻关项目(015211068)。该项目从陶瓷制备及其工程化的各个主要环节入手,以提高产品的性/价比和解决产业化关键技术为目标,提高产品的市场竞争力,充分利用我们在高...
关键词:
关键词:结构陶瓷耐磨材料
添加Mg-Al-Si体系烧结助剂的氮化硅陶瓷的无压烧结被引量:16
2004年
以MgO-Al2O3-SiO2体系作为烧结助剂,研究了氮化硅陶瓷的无压烧结。着重考察了烧结温度、保温时间以及烧结助剂用量等工艺因素对氮化硅陶瓷材料力学性能和显微结构的影响,通过工艺调整来设计材料微观结构以提高材料的力学性能。在烧结助剂质量分数为3.2%的情况下,经1 780℃,3 h无压烧结,氮化硅大都呈现长柱状β-Si3N4晶粒,具有较大的长径比,显微结构均匀。样品的相对密度达99%,抗弯强度为956.8 MPa,硬度HRA为93,断裂韧性为6.1 MPa·m1/3。具有较大长径比晶粒构成的显微结构是该材料表现较高力学性能的原因。
黄智勇刘学建黄莉萍张培志陈晓阳
关键词:氮化硅力学性能显微结构无压烧结
无压烧结氮化硅陶瓷的力学性能和显微结构被引量:10
2004年
以MgO-Al2O3-SiO2为烧结助剂,借助XRD、SEM、TEM、EDS、HRTEM等手段,研究了无压烧结氮化硅陶瓷材料的力学性能和显微结构,着重探讨了材料制备工艺、力学性能和显微结构之间的关系,通过调整制备工艺改善材料微观结构以提高材料的力学性能.强化球磨混合的试样经1780℃无压烧结3h后,抗折强度高达1.06GPa,洛氏硬度92,显微硬度14.2GPa,断裂韧性6.6MPa·m0.5.材料由长柱状β-Si3N4晶粒组成,晶粒具有较大的长径比,长柱晶的近圆晶粒尺寸0.3-0.8μm,长度3-6μm,长径比约7-10,显微结构均匀.
刘学建黄智勇黄莉萍张培志陈晓阳
关键词:氮化硅无压烧结力学性能显微结构
LPCVD氮化硅薄膜的化学组成被引量:7
2006年
分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌。XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33)。AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%)。AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm。
葛其明刘学建黄智勇黄莉萍
关键词:氮化硅化学组成LPCVD
混料方式对氮化硅陶瓷力学性能和显微结构的影响被引量:4
2004年
借助扫描电镜、透射电镜、高分辨电镜、能量分散X射线等分析手段,研究了无压烧结氮化硅陶瓷材料的力学性能和显微结构,着重比较了粉料混合方式对材料力学性能和显微结构的影响。研究结果表明:行星式球磨机强化球磨混料可以有效地改善陶瓷粉料的混和效果,使烧结助剂均匀分布,抑制了晶粒的异常长大,有利于均匀结构的形成,力学性能也有不同程度的提高,而采用普通球磨混料方式制备的材料在局部区域产生晶粒异常长大情况。强化球磨混料制备氮化硅陶瓷的弯曲强度高达1.06GPa,Rockwell硬度达92,Vickers硬度达14.2GPa,断裂韧性达6.6MPa·m1/2。
刘学建黄智勇黄莉萍张培志陈晓阳
关键词:氮化硅力学性能显微结构
金属-陶瓷纳米复合材料及其界面研究
孙兴伟郭景坤黄莉萍刘学健石晓梅葛其明黄智勇宁金成
该项目利用纳米工艺技术来获得第二相金属颗粒足够小,均匀分散的纳米陶瓷金属复合材料,预期它会表现出高强度、高韧性、高硬度、良好的热导性等特性,是解决金属陶瓷优异性能结合的非常好的途径。内容主要为纳米Co/Al_2O_3复合...
关键词:
关键词:金属复合材料界面
氮化硅粉体的行星式球磨工艺研究
主要研究了各种球磨工艺参数在行星式球磨过程中对粉料的粒度及形貌的影响.由于超细粉碎过程中特有的团聚现象,当颗粒尺寸达到极限值时,进一步延长球磨时间,反而使球磨的效果变差,降低球磨效率.通过对氮化硅粉体行星球磨过程的分析,...
黄智勇王翔刘学建黄莉萍张培志陈晓阳
关键词:氮化硅粉体超细粉碎
文献传递
SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学被引量:1
2003年
以硅烷和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响。结果表明:SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,随着原料气中氨气与硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整。较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。
葛其明刘学建黄智勇蒲锡鹏黄莉萍
关键词:LPCVD氮化硅薄膜沉积速率
共2页<12>
聚类工具0