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黄琦
作品数:
2
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供职机构:
中国科学院物理研究所
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
丁爱菊
中国科学院物理研究所
周筠铭
中国科学院物理研究所
冯国光
中国科学院物理研究所
周均铭
中国科学院物理研究所
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GAAS/S...
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中国科学院
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黄琦
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周均铭
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冯国光
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丁爱菊
传媒
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第十届全国凝...
年份
1篇
2000
1篇
1988
共
2
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GaAs/Si外延层的TEM研究
<正> 外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:(...
邹进
都安彦
冯国光
丁爱菊
侯宏启
黄琦
周均铭
第十届全国凝聚态光学性质学术会议论文集
周筠铭
黄琦
关键词:
非线性光学
半导体器件
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