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黄醒良

作品数:15 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇红外
  • 6篇多量子阱
  • 6篇探测器
  • 6篇红外探测
  • 6篇红外探测器
  • 5篇GAAS/A...
  • 5篇GAAS/A...
  • 4篇对称性
  • 4篇相图
  • 2篇光电
  • 2篇光电流
  • 2篇光电流谱
  • 1篇电极
  • 1篇电热
  • 1篇调速
  • 1篇调制
  • 1篇镀膜
  • 1篇液相
  • 1篇液相线
  • 1篇熔焊

机构

  • 9篇中国科学院
  • 5篇昆明物理研究...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇航空航天部

作者

  • 15篇黄醒良
  • 8篇沈学础
  • 4篇陆卫
  • 4篇方晓明
  • 3篇袁诗鑫
  • 2篇李言谨
  • 2篇周小川
  • 2篇沈文忠
  • 1篇蒋最敏
  • 1篇马朝晖
  • 1篇刘兴权
  • 1篇张翔九
  • 1篇陈敏辉
  • 1篇杨宇
  • 1篇龚大卫
  • 1篇李承芳
  • 1篇刘晓晗
  • 1篇徐贵昌
  • 1篇唐文国
  • 1篇穆耀明

传媒

  • 5篇红外与毫米波...
  • 2篇Journa...
  • 2篇红外技术
  • 2篇红外与激光技...
  • 1篇发光学报
  • 1篇1989年全...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1988
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
共晶系相图的对称性和形态描述
从液固相变的对称性假设推导出二元共晶系相同的形态描述,并讨论了特性函数的展开和系数测定。利用富Te-HgCdTe体系的实验数据进行了相图的形态计算,计算出的结果与实验符合得相当好。由此得出的共晶系相图的形态描述是一种能简...
黄醒良
关键词:液相相图固相液相线碲镉汞
从平衡分凝系数计算二元同形系相图
1990年
本文从液固相平衡出发,推导出二元同形系液固相变的平衡分凝系数与其等效相变潜热的关系,又从二元同形系的分子间作用势和相图的对称性得到等效相变潜热的近似表达,从而导出计算二元同形系相图的分凝系数法.用分凝系数法计算了(Hg,Cd)Te赝二元同形系相图,所计算的液固相点温度与实验值的拟合度与用较复杂的热力学方法计算的结果相近.
黄醒良
关键词:分凝系数
7μmGaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器被引量:1
1992年
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09×10~9cm·Hz^(1/2)·W^(-1),电压响应率为2.5×10~4V·W^(-1).
方晓明黄醒良陆卫李言谨沈学础周小川钟战天蒋健徐贵昌杜全钢牟善明李承芳周鼎新于美云余晓中
关键词:多量子阱红外探测器
GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨被引量:1
1994年
通过长波GaAs/GaAlAS量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统HgCdTe探测器的比较,直接地显示了GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竟争力.
陆卫欧海江陈敏辉马朝晖刘兴权黄醒良茅惠兴蒋伟沈学础顾勇华叶礼斌
关键词:多量子阱红外探测器红外成象
一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用被引量:2
1997年
本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术.文中给出了实验方法,讨论了调制机理,指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理,该方法也可直接给出其能隙大小,对GaAs的实验结果说明了这一观点.本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理,给出并解释了InGaAs/GaAs单量子阱,AlGaAs/GaAsHBT等材料的微分反射谱.为了比较起见,文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱.
查访星黄醒良沈学础
关键词:半导体材料空间调制
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究
1993年
从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布、压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤,并讨论了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和In球熔焊的Au丝力损伤。
黄醒良方晓明沈学础袁诗鑫
关键词:熔焊红外探测器
Si_(1-x)Ge_x/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究
1995年
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料.发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估.背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好.低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合.并讨论了生长温度对量于阱发光的影响.
杨宇黄醒良刘晓晗黄大鸣蒋最敏龚大卫张翔九赵国庆
关键词:分子束外延发光材料
同形系相图的对称性和形态描述
黄醒良
关键词:相图相变点相变
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱
1994年
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱,并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。
黄醒良沈文忠陆卫穆耀明沈学础
关键词:多量子阱红外探测器光电流谱
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的特性研究被引量:3
1993年
测量了GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的伏安特性I_b(T_D,V_b)、黑体光响应电压V_S(T_D,T_B,V_b)和噪声电压V_N(T_D,V_b),由此获得器件的黑体电压响应率R_(VB)(T_D,V_b)和探测率D_B~*(T_D,V_b)并用Lorentz光响应线形对V_S(T_D,T_B,V_b)拟合给出器件的光电流谱的峰值波长λ_P和半峰宽λ_w。
黄醒良方晓明陆卫沈学础李言谨袁诗鑫周小川
关键词:多量子阱红外探测器
共2页<12>
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