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俞文杰

作品数：185 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金中科院创新基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 152篇专利
  • 24篇期刊文章
  • 9篇会议论文

领域

  • 80篇电子电信
  • 14篇一般工业技术
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 56篇衬底
  • 55篇晶体管
  • 30篇总剂量
  • 30篇沟道
  • 27篇图形化
  • 26篇绝缘
  • 26篇半导体
  • 26篇硅
  • 26篇场效应
  • 23篇纳米
  • 23篇场效应晶体管
  • 20篇电极
  • 19篇绝缘体上硅
  • 16篇总剂量辐射
  • 16篇纳米线
  • 16篇绝缘体
  • 14篇湿法腐蚀
  • 14篇刻蚀
  • 13篇栅极
  • 13篇埋氧层

机构

  • 185篇中国科学院
  • 5篇中国科学院研...
  • 4篇上海大学
  • 3篇上海工程技术...
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇深圳大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇于利希研究中...

作者

  • 185篇俞文杰
  • 104篇刘强
  • 70篇王曦
  • 32篇刘畅
  • 30篇母志强
  • 26篇赵清太
  • 21篇狄增峰
  • 21篇文娇
  • 19篇张波
  • 18篇张苗
  • 16篇张正选
  • 15篇王茹
  • 15篇陈明
  • 13篇田浩
  • 11篇贺威
  • 8篇费璐
  • 6篇毕大炜
  • 6篇薛忠营
  • 4篇刘张李
  • 3篇张帅

传媒

  • 9篇功能材料与器...
  • 4篇半导体技术
  • 4篇物理学报
  • 3篇功能材料
  • 1篇高能物理与核...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子器件
  • 1篇压电与声光
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第五届粒子物...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第六届中国功...

年份

  • 20篇2024
  • 29篇2023
  • 14篇2022
  • 14篇2021
  • 34篇2020
  • 8篇2019
  • 5篇2018
  • 5篇2017
  • 16篇2016
  • 9篇2015
  • 7篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 10篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 185 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法
本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理...
母志强姜文铮赵佳李卫民俞文杰
环栅晶体管的制备方法
本发明提供一种环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，所述注入阻挡层显...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦
文献传递
真空沟道晶体管及其制作方法
本发明提供一种真空沟道晶体管的制作方法，至少包括：在第一硅衬底上形成层叠结构，所述层叠结构包括第一电介质层、多晶硅层和第二电介质层；图形化所述层叠结构以形成包括空腔和沟槽的图形化区域，其中在所述沟槽的底部暴露出第一硅衬底...
母志强刘强俞文杰
基于图形化SOI衬底的半导体纳米线结构及其制备方法
本发明提供一种基于图形化SOI衬底的半导体纳米线结构及其制备方法，包括：在第二半导体衬底中进行离子注入形成剥离界面；于第一绝缘层中形成凹槽，所述凹槽未贯穿所述第一绝缘层；键合第二半导体衬底及第一绝缘层，以形成空腔；进行退...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦
三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法
本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于半导体纳米线表面形成...
刘强俞文杰任青华陈治西刘晨鹤赵兰天陈玲丽王曦
一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上Si/NiSi<Sub>2</Sub>衬底材料及其制备方法，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi<Sub>2</Sub>，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅...
俞文杰张波赵清太狄增峰张苗王曦
文献传递
一种SOI衬底及其制备方法
本发明提供一种SOI衬底及其制备方法，衬底包括：衬底层、第一埋氧层、背栅调节层、第二埋氧层、顶半导体层，从下到上依次设置，背栅调节层内设置有绝缘隔离结构。本发明通过设置第一埋氧层为键合界面，使对第二埋氧层的厚度的调节自由...
刘强俞文杰
基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法
本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹...
俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
文献传递
一种半导体封装结构及其制备方法
本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：衬底层、射频电路层、键合层、滤波器结构和互连结构；射频电路层设置于衬底层上，键合层位于所述射频电路层上，滤波器结构设置于键合层上，键合层用于键合射频电路层...
母志强秦瑞东俞文杰
具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法
本发明提供一种具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底和第二基底，在第一基底中进行离子注入形成预设剥离层，将第一基底和第二基底相键合，沿预设剥离层剥离，得到具有空腔结构的半导体衬底，空腔结构中...
俞文杰刘强
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