刘保亭
- 作品数：145 被引量：212H指数：8
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- 相关领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- Ni-Al底电极对偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物铁电薄膜性能的影响被引量：4
- 2010年
- 利用磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备了不同厚度的非晶导电薄膜Ni-Al底电极,并采用直滴法、退火工艺和掩膜技术,首先制备了偏氟乙烯-三氟乙烯P(VDF-TrFE)共聚物铁电薄膜,并构架了Al/P(VDF-TrFE)/Ni-Al/Si铁电电容器异质结.采用X线衍射仪(XRD)、铁电测试仪(Precision LC unit)等测试手段对薄膜的性能进行了表征.结果表明:Ni-Al薄膜厚度对偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物薄膜的漏电流产生较大影响,当厚度为36 nm时,其漏电流密度达到2.09×10-5A/cm2;所构架的Al/P(VDF-TrFE)/Ni-Al/Si电容器呈现2种漏电机理,在较低的电场范围内,电容器的导电机理为欧姆导电机理,在高电场下为界面肖特基导电机理.
- 张旭赵庆勋李晓红刘保亭
- 关键词：漏电流
- 一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种铌酸银基无铅反铁电储能薄膜及其制备方法，采用磁控溅射法在基片上外延生长一层La<Sub>0.5</Sub>Sr<Sub>0.5</Sub>CoO<Sub>3</Sub>薄膜底电极，然后采用脉冲激光沉积法在...
- 赵磊李晓博张彦乐张劲刘保亭王静宋建民代秀红
- 文献传递
- 自组装1-3型外延LaSrFeO_4∶Fe纳米复合薄膜的结构和磁性能研究
- 2014年
- 采用高温固相法制备La0.5Sr0.5FeO3靶材,在高能量,较低的温度条件下利用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(001)衬底上自助装生长1-3型外延的LaSrFeO4∶Fe(LSFO4∶Fe)纳米复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)表征薄膜的晶体结构和生长取向,磁力显微镜(MFM)观测样品的表面形貌和磁畴结构,超导量子干涉仪(SQUID)磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,α-Fe纳米线的直径大小约为20 nm。在低温10 K时,磁场方向平行和垂直纳米线的矫顽力分别为1645 Oe和923 Oe,饱和磁化强度分别为780 emu/cm3和645 emu/cm3,样品表现出良好的磁各向异性。
- 贾艳丽闫其庚张磊冯招娣代秀红王世杰赵庆勋王英龙刘保亭
- 关键词：脉冲激光沉积磁性能
- 沉积温度对磁控溅射法制备La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜微结构和导电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜,研究了沉积温度对La0.5Sr0.5CoO3薄膜微结构和导电性能的影响。结果表明:沉积温度低于400℃时,薄膜以非晶状态存在,未发生外延生长,沉积温度为550℃和650℃时,薄膜在基片上实现了外延生长;随着沉积温度的升高薄膜表面粗糙度呈现规律性的变化;薄膜的电阻率随沉积温度的升高单调下降,650℃沉积薄膜的电阻率最小为1.63μΩ.cm。
- 付跃举刘保亭郭颖楠傅广生
- 关键词：射频磁控溅射
- 关于减反射膜的一个问题
- 2010年
- 讨论减反射膜反射的电场和光的能量问题，指出它们的不同之处．强调光的能量是由总电场，而不是由分电场决定的．从而澄清关于减反射膜的增加透射的误解．给出的例子显示减反射膜的相消干涉主要由第一和第二反射决定．
- 马连喜刘保亭
- 关键词：减反射膜电场光能量
- 衬底材料对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响
- 2016年
- 采用脉冲激光沉积系统分别在LaAlO_3(001)和MgO(001)衬底上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,以Pt做电极分别构架了Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3叉指电容器。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和Aglient E4980LCR表分别对两种薄膜的结构、表面形貌和介电特性进行表征。研究发现:两种衬底都可以实现BST(001)薄膜的外延生长,MgO和LaAlO_3衬底上BST薄膜的晶粒尺寸分别为52 nm和42 nm。在室温40 V偏置电压下,Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3的调谐率分别为39.68%和29.55%,最低损耗分别为0.029和0.053。这说明衬底材料的晶格常数不同,最终导致了BST薄膜介电性能的不同。
- 娄建忠李振娜方晓燕代秀红宋安英宋建民刘保亭
- 关键词：脉冲激光沉积介电性能
- 沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响被引量：3
- 2010年
- 采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65μC/cm2。采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理。
- 赵庆勋魏大勇王宽冒马继奎刘保亭王英龙
- 关键词：脉冲激光沉积沉积温度
- 非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质。结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效。
- 张磊冯招娣王世杰贾艳丽贾长江闫其庚李晓红代秀红刘保亭
- 关键词：阻挡层铜互连
- 纳米金刚石薄膜的n型掺杂及薄膜低温合成的动力学研究
- 赵庆勋闫正王银顺刘保亭王永杰杨景发乔晓东葛大勇张庆荣
- 该研究采用辉光等离子体辅助EACVD技术，制备出了高品质的n型金刚石薄膜，通过对薄膜力学特性的研究，得到了制备较小残余内应力的掺硫n型金刚石薄膜的优化实验条件；系统研究了薄膜的电学性质与掺硫浓度的关系，在低温硅衬底上合成...
- 关键词：
- 关键词：金刚石薄膜
- Pt/SrRuO3/Bi0.975La0.025Fe0.975Ni0.025O3/Pt薄膜电容器的光伏效应被引量：1
- 2019年
- 采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了厚度分别为240、360、480和600 nm的多晶La和Ni共掺的Bi0.975La0.025Fe0.975Ni0.025O3/(BLFNO)薄膜,并以Pt/Sr Ru O3(SRO)为复合上电极构建了Pt/SRO/BLFNO/Pt薄膜电容器。用波长为404 nm、强度为5 mW/cm2的紫光作为光源测试了Pt/SRO/BLFNO/Pt薄膜电容器的光伏效应。实验发现:Pt/SRO/BLFNO/Pt薄膜电容器的光电流随极化的翻转而反转;此外,Pt/SRO/BLFNO/Pt薄膜电容器的光伏效应还体现了对BLFNO薄膜厚度依赖性。开路电压随厚度的增加而增大,短路电流密度随厚度的增加而减小。当上电极Pt/SRO的电势高于底电极Pt时,开路电压分别为-0.08、-0.10、-0.13和-0.35 V,短路电流密度分别为6.72、5.71、0.83和0.61μA/cm2;当上电极Pt/SRO的电势低于底电极Pt时,开路电压分别为0.07、0.09、0.10和0.27 V,短路电流密度分别为-5.75、-4.38、-0.92和-0.28μA/cm2。通过对Pt/SRO/BLFNO/Pt薄膜电容器光伏效应的分析发现,极化起着主导作用。
- 彭增伟刘保亭
- 关键词：铁酸铋光伏效应
