您的位置： 专家智库 > >

刘晗

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程文学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇学位论文
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文学

主题

  • 8篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 5篇淀积
  • 5篇原子层淀积
  • 4篇电池
  • 4篇燃料电池
  • 4篇金属
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 3篇电路
  • 3篇半导体纳米线
  • 3篇MOS晶体管
  • 3篇存储器
  • 2篇低电阻
  • 2篇低维纳米
  • 2篇电阻
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔膜
  • 2篇再生能源
  • 2篇柔性电路

机构

  • 16篇复旦大学

作者

  • 16篇刘晗
  • 13篇张卫
  • 11篇王鹏飞
  • 8篇顾晶晶
  • 3篇孙清清
  • 2篇丁士进
  • 2篇陈琳
  • 2篇周立人
  • 2篇徐岩
  • 1篇董琳
  • 1篇施煜

传媒

  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 9篇2010
  • 3篇2009
共 16 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征
本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中快速热退火对介质薄膜的厚度、折射率和禁带宽度的影响。结果表明...
徐岩刘晗陈琳孙清清丁士进张卫
关键词：原子层淀积光学特性禁带宽度介质薄膜
文献传递
一种基于三五族元素的纳米线MOS晶体管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni...
刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
一种能与人体结合的微生物燃料电池
本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳...
刘晗周立人王鹏飞张卫
文献传递
一种基于半导体纳米线形成的逻辑门及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于半导体纳米线形成的逻辑门及其制备方法。本发明首先在衬底的表面生长一定的硅图案，然后在硅图案的侧壁上横向生长纳米线，通过控制硅图案之间的距离来控制不同的纳米线类型(单质或p-n结...
刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
文献传递
低维纳米材料合成、应用与理论研究
本文主要开展了三个方面的研究：1)研究了铟基(In2O3和ITO)纳米线的合成以及材料表征;2)将纳米线应用到了燃料电池的研究中,观察纳米结构对微生物燃料电池输出特性的影响;3)利用第一性原理,对石墨烯和金属氧化物的界面...
刘晗
关键词：纳米线石墨烯燃料电池
文献传递
一种基于三五族元素的纳米线MOS晶体管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni...
刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
文献传递
一种能与人体结合的微生物燃料电池
本发明属于再生能源技术领域，具体公开了一种微生物燃料电池。该微生物燃料电池包括一个腔体以及包含在所述腔体内依次排列的阴极、质子交换膜、阳极和多孔膜。该微生物燃料电池利用微生物对血糖的催化进行分解，在分解过程中产生二氧化碳...
刘晗周立人王鹏飞张卫
原子层淀积铪铝氧高K栅介质特性研究
本文利用先进的原子层淀积技术在Si（100）衬底上制备了HfAlO3.5高k栅介质薄膜。在等效电学厚度4.1 nm 的情况下，样品呈现优良的C-V 特性曲线，以及较小的电压滞回窗口(小于10 mV)。在100 kHz下测...
陈琳孙清清刘晗徐岩王鹏飞张卫
关键词：高K栅介质原子层淀积
文献传递
一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法
本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器...
刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
文献传递
一种石墨烯MOS晶体管的制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种石墨烯MOS晶体管及其制备方法。本发明首先通过氢气等离子体处理本征石墨烯得到氢化石墨烯，然后利用原子层淀积金属氧化物的方法破坏石墨烯的大π键，从而有效扩展石墨烯的禁带宽度，降低...
刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0