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叶乐

作品数：64 被引量：24H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程

主题

  • 29篇电路
  • 13篇芯片
  • 9篇信号
  • 8篇定向耦合器
  • 8篇振荡器
  • 8篇射频
  • 8篇耦合器
  • 8篇放大器
  • 6篇电压
  • 6篇调谐
  • 6篇射频前端
  • 6篇混频
  • 6篇混频器
  • 6篇功耗
  • 5篇电容
  • 5篇集成电路
  • 4篇低功耗
  • 4篇电路应用
  • 4篇调频
  • 4篇调频连续波

机构

  • 64篇北京大学
  • 2篇华为技术有限...
  • 1篇北京大学第三...
  • 1篇清华大学
  • 1篇首都医科大学...
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇浙江省北大信...

作者

  • 64篇叶乐
  • 44篇黄如
  • 36篇廖怀林
  • 9篇王逸潇
  • 8篇刘军华
  • 8篇黄芊芊
  • 6篇王阳元
  • 5篇侯中原
  • 5篇王川
  • 5篇蔡一茂
  • 5篇王志轩
  • 4篇杨帆
  • 4篇杨淮洲
  • 4篇吴春蕾
  • 4篇杨庚雨
  • 4篇张兴
  • 4篇朱昊
  • 4篇沈灵
  • 3篇洪阳
  • 3篇陈诚

传媒

  • 2篇中国科学：信...
  • 1篇系统工程与电...
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 8篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 7篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2008
共 64 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于标准CMOS工艺全集成光电转换接收机
本发明涉及一种基于标准CMOS工艺全集成光电转换接收机。包括光电探测器、跨导放大器、均衡器、多级限幅器、DCOC处理电路、输出缓冲器、斜率探测器、误差放大器；所述光电探测器的P端接地、N端与所述跨导放大器输入端连接，所述...
廖怀林侯中原沈灵叶乐张兴
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一种高电源抑制比的低压差线性稳压器
本发明公开一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，其误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压，误差放大器的输出端接输出管；输出管的漏端为串联的用于提供反馈电压的负载电阻，所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路，所...
叶乐洪阳杨丽杰廖怀林黄如
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一种基于变压器的定向耦合器
本发明提供一种基于变压器的定向耦合器，包括：第一线圈，其两端分别作为输入端和直通端；第二线圈，与所述第一线圈构成变压器结构，其两端分别作为耦合端和隔离端；两个可调电容，其一连接所述输入端和所述直通端，另一个连接所述耦合端...
叶乐廖毓郭盈廖怀林黄如
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超高频RFID标签阅读器的补偿方法、阅读器及其射频前端
本发明公开了一种超高频射频电子标签阅读器的泄漏补偿方法及实现上述补偿方法的超高频射频电子标签阅读器的射频前端，属于无线射频技术领域。本发明核心是，采用两个环形隔离器或耦合器，通过控制器件的布局和PCB板的走线，获得信号延...
叶乐杨淮洲廖怀林赵锦淑刘锐强刘军华黄如
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基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的...
黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元
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面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法
本发明公开了一种面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法，既考虑了器件的低功耗能力，又考虑了器件对电路性能(速度)的影响。该方法以具体电路的工作频率要求为性能标准，得到半导体器件刚好满足该工作频率的最小工作电压；以对...
叶乐王志轩黄芊芊王阳元黄如
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采用单通路射频前端实现GNSS多模并行接收的方法及装置
本发明提供一种采用单通路射频前端实现GNSS多模并行接收的方法及装置，属于射频通讯技术领域。该方法包括：接收到的RF射频信号进入单通路射频前端后，根据接收信号模式的个数N，将信号通路的采样周期划分为N个时间小段，通过受时...
叶乐段晓辉廖怀林赵辉辉刘军华肖慧凌黄如
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采样热噪声消除电路、电容数字转换器及物联网芯片
本发明公开一种采样热噪声消除电路、电容数字转换器及物联网芯片，采样热噪声消除电路，包括：采样电容、第一级模数转换器、余量放大器和第二级模数转换器，采样电容，用于获取待测输入物理信号对应的电压信号；第一级模数转换器，用于对...
沈林晓高继航叶乐
弛豫振荡器、时钟电路及电子芯片
本发明公开一种弛豫振荡器、时钟电路及电子芯片，其中，弛豫振荡器，包括：高带宽比较器、唤醒电路、阻容元件组和开关电路，唤醒电路分别与开关电路、高带宽比较器和阻容元件组连接，唤醒电路用于根据监测的充电电容的电压满足预设条件时...
沈林晓许欣航叶乐
一种隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工...
黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元
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