吴胜宝
- 作品数：4 被引量：28H指数：3
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- La,Ce,Nd掺杂对单层MoS_2电子结构的影响被引量：19
- 2014年
- 为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关,La杂质附近的键长变化最大,Nd杂质附近的键长变化最小.能带结构分析表明,La掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级,Ce掺杂可以形成6个新能级,Nd掺杂可以形成4个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析.差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象.
- 雷天民吴胜宝张玉明郭辉陈德林张志勇
- 关键词：第一性原理稀土掺杂电子结构MOS2
- 单层MoS_2的电子结构及光学性质被引量：5
- 2013年
- 基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为1.98 105cm-1。分析表明,单层MoS2适合被用于制作微电子和光电子器件,尤其是在紫外探测器应用方面具有潜在的应用前景。
- 雷天民吴胜宝张玉明刘佳佳郭辉张志勇
- 关键词：第一性原理MOS2电子结构光学性质
- 单层MoS2的电子结构及晶格动力学研究
- 二硫化钼(MoS2)作为一种新型的二维层状半导体材料，因其独特的分子结构、可观的禁带宽度等优良特性，已经成为了国内外材料相关领域的研究热点之一。基于MoS2光明的研究前途，我们借助Materials Studio软件对本...
- 吴胜宝
- 关键词：二硫化钼第一性原理电子结构晶格动力学
- 空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响被引量：4
- 2015年
- 为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。
- 雷天民吴胜宝张玉明刘佳佳姜海青张志勇
- 关键词：第一性原理MOS2空位电子结构
