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周继明

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学分析测试中心更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇硅
  • 1篇电阻率
  • 1篇区熔
  • 1篇中子嬗变
  • 1篇中子嬗变掺杂
  • 1篇光谱
  • 1篇NI
  • 1篇SI
  • 1篇镍
  • 1篇氢

机构

  • 2篇四川大学

作者

  • 2篇游志朴
  • 2篇周继明

传媒

  • 2篇四川大学学报...

年份

  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ni在Si中的分布和沉积
1989年
用原子吸收光谱和X射线荧光光谱,测得Ni在Si中的分布为内部浓度低,表面浓度高的U形分布。扫描电子显微镜观察到了Ni在Si表面的沉积和由此产生的晶格缺陷。表面沉积物是Si—Ni合金,其原子比为Si:Ni—2:1。
周继明游志朴李定武阳军
关键词：镍硅光谱
中子嬗变掺杂氢区熔硅电阻率恢复特性
1990年
中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)等时热退火特性的研究,国内开始于80年代初,到1986年,认为其规律已经基本清楚.但是1988年发现NTD直拉Si退火中电阻率的变化不同于以往的报道,还存在一种800—1000℃温区的中子辐照施主,因而必须进行不同于NTD区熔Si的退火处理.
周继明游志朴尹建华
关键词：中子嬗变掺杂硅电阻率
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共1页<1>
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