唐逸
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
- 供职机构：上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金教育部科学技术研究重大项目上海-AM基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 溅射法制备高介电性能钛酸锶钡薄膜的研究及微波开关的研制
- 钛酸锶钡（BaSrTiO3，BST）薄膜由于其高介电常数、低漏电流密度、低介电损耗和介电可调等特性，在随机动态存储器、微波器件及红外成像等领域有着广泛的应用前景，其制备工艺也是近十几年来的研究热点。射频磁控溅射法可以制备...
- 唐逸
- 关键词：钛酸锶钡BST薄膜微波开关射频磁控溅射法
- 文献传递
- 射频磁控溅射法制备BST薄膜
- 本文应用平板式射频磁控溅射设备制备出了良好介电性能的BST纳米薄膜,系统地研究了溅射过程中不同氧分压对沉积薄膜的化学成份、结晶性的影响。
- 唐逸杨春生张丛春
- 关键词：钛酸锶钡磁控溅射
- 文献传递
- 氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响被引量：8
- 2006年
- 为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学计量比,经750℃、30 min氧气保护热处理后,呈现出BST材料固有的钙钛矿相,有较高的介电常数(rε=700)和较低的漏电流密度(1.9μA/cm2);氧氩混合气氛沉积的BST纳米薄膜,由于氧负离子反溅射作用,使薄膜的化学成分偏离化学计量比,经相同热处理后,不能形成相应的晶体结构,导致薄膜的rε下降、漏电流密度提高,介电性能变坏;pO2的变化对沉积薄膜的化学成分影响不大.
- 唐逸杨春生张丛春
- 关键词：钛酸锶钡射频磁控溅射氧分压X射线衍射介电性能
- 溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究
- 2006年
- 采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度。同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8A/cm2和6×10-6A/cm2。
- 唐逸杨春生马骏
- 关键词：BST磁控溅射膜厚介电性能
