宗婉华
- 作品数：16 被引量：36H指数：3
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
- 1998年
- 本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Ｓｉ镇流电阻法。
- 张友渝江泽流宗婉华王文喜张大立王民娟
- 关键词：冷阴极
- 磁控溅射ＳｉＯ＃-[2]薄膜工艺研究
- 宗婉华马振昌
- 关键词：溅射氧化硅薄膜生长
- 氧化多孔硅和含纳米硅中锗的氧化硅发光
- 秦国刚马振昌张伯蕊付济时秦国毅乔永平段家宗婉华尤力平毛晋昌姚光庆张丽珠
- 该项目为研制出波长为340毫米的强紫外光多孔硅，是已报导的发光波长最短的多孔硅。项目提出光激发生在纳米硅中，而光发射发生在纳米硅外氧化硅层中或纳米硅/氧化硅界面处的发光中心（杂质和缺陷）上；不同发光带来自不同的发光中心，...
- 关键词：
- 关键词：多孔硅氧化硅纳米硅
- RF磁控溅射技术制备纳米硅被引量：1
- 2002年
- 利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。
- 马振昌宗婉华衡成林秦国刚吴正龙
- 关键词：磁控溅射射频纳米硅
- 富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究被引量：3
- 1998年
- 以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．
- 马书懿秦国刚马振昌宗婉华吴正龙姚光庆孟祥提
- 关键词：氧化硅薄膜光致发光
- 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光被引量：2
- 2000年
- 将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离子注入情况 ,只观察到 Au/ 1 0 50℃退火的离子注入的富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光 .低于 1 0 50℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅 ,无论离子注入与否 ,都未观察到电致发光 .Au/未注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光光谱在 1 .8e V处出现主峰 ,在 2 .4e V处还有一肩峰 .在 Au/ Si注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度分别增加了 2倍和 8倍 ;在 Au/ Ge注入富硅二氧化硅 / p- Si和 Au/ Ar注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度变化不大 ,但都观测到峰位位于 2 .2 e V的新发光峰 .采用隧穿 -量子限制
- 王艳兵孙永科乔永平张伯蕊秦国刚陈文台龚义元吴德馨马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光二氧化硅锗氩离子离子注入
- X016(PD300)、X017(PD75)、X018(PD75A)、X019(PD40)型高速InGaAs光电探测器芯片
- 曾庆明李献杰乔树允王全树耿林茹蒲运章宗婉华蔡克理刘中华刘春雨
- 该课题对正面进光结构InP/InGaAs PIN 光电探测器芯片进行了全面、系统的研究，开发了开管锌扩散工艺方法；设计了双层增透膜，提高了光响应度；采用了电镀加厚焊接电极；实现了低阻P型欧姆接触。该研究达国际先进水平。
- 关键词：
- 关键词：光电芯片
- 低阻W/WN难熔栅技术研究
- 2000年
- 探索了新型难熔栅 W/WN工艺制备技术 ,通过 SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/Ga As特性作了分析。结果表明 ,溅射气压和 N分压对 W,WN薄膜特性有着显著影响 ,通过工艺条件的优化 ,制备的 W/WN膜厚为 36 0 nm,方块分压为 0 .5 1Ω。利用Si O2 作为退火包封层 ,780℃ 10 s快速退火后 ,W/WN能够保持好的稳定性 ,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的 Ga As MESF ET。
- 马振昌宗婉华
- 关键词：砷化镓集成电路
- n^+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO_2膜电致发光被引量：4
- 1997年
- 对于Ａｕ／富ＳｉＳｉＯ２／ｐＳｉ和Ａｕ／富ＳｉＳｉＯ２／ｎ＋Ｓｉ这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于４Ｖ时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏压大于３．５Ｖ时发射红光．
- 张亚雄李安平陈开茅张伯蕊孙允希秦国刚马振昌宗婉华
- 关键词：多孔硅纳米硅光致发光
- 纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用被引量：1
- 2002年
- 用磁控溅射法在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ)薄膜,并制备了Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｓｉ:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管,观测到这种发光二极管的１．５４μｍ电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管的８倍．在ｎ＋－Ｓｉ衬底上淀积了纳米(ＳｉＯ２:Ｅｒ/Ｓｉ/ＳｉＯ２:Ｅｒ)三明治结构,其硅层厚度以０ ２ｎｍ为间隔从１．０ｎｍ变化到４．０ｎｍ．在室温下观察到了Ａｕ/纳米(ＳｉＯ２:Ｅｒ/Ｓｉ/ＳｉＯ２:Ｅｒ)/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的３个高斯峰,峰位分别为０．７５７ｅＶ(１．６４μｍ)、０．８０６ｅＶ(１．５４μｍ)和０．８６０ｅＶ(１．４４μｍ),半高宽分别为０．０５２、０．０４５和０．０５５ｅＶ,其中１．５４μｍ峰来源于Ｅｒ发光．当硅层厚度为１．６ｎｍ时,３个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Ａｕ/ＳｉＯ２:Ｅｒ/ｎ＋－Ｓｉ发光二极管相应３个峰的２２、７．９和６．７倍．
- 陈源冉广照戴 伦袁放成秦国刚马振昌宗婉华吴正龙
