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宿晓慧
作品数:
69
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
韩郑生
中国科学院微电子研究所
罗家俊
中国科学院微电子研究所
李博
中国科学院微电子研究所
郝乐
中国科学院微电子研究所
刘海南
中国科学院微电子研究所
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2012
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抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路,包括:第一缓冲器,输入端连接输入信号,输出信号连接第一传输门数据输入端;第二缓冲器,输入端连接输入信号,输出信号连接第二传输门数据输入端;第一传输门的数据输出信号,连接第二传...
宿晓慧
毕津顺
罗家俊
韩郑生
郝乐
文献传递
一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器
本发明公开一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器,属于半导体领域。以解决由于主从结构的引入增加了较多的晶体管和增加了较多的控制信号,会增大芯片面积,增加功耗的技术问题。包括存储元,存储元包括:第一反相器以及第二反相器...
宿晓慧
苏泽鑫
李博
王磊
朱慧平
罗家俊
韩郑生
文献传递
单粒子脉冲宽度测量电路
本发明公开了一种单粒子脉冲宽度测量电路。该电路包括单粒子脉冲信号产生电路及至少一级测量电路;单粒子脉冲信号产生电路产生待测单粒子脉冲信号;由待测单粒子脉冲信号直接驱动的双稳态电路构成测量电路的第一级;从测量电路的第二级开...
宿晓慧
毕津顺
文献传递
抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路,包括:第一缓冲器(101),输入端接输入信号,输出第一缓冲信号(out1),用于消除“低高低”型脉冲;第二缓冲器(102),输入端接输入信号,输出第二缓冲信号(out2),用...
宿晓慧
毕津顺
罗家俊
韩郑生
郝乐
文献传递
一种用于SRAM芯片的安全系统
本发明涉及一种用于SRAM芯片的安全系统,属于SRAM存储器技术领域,解决了现有技术不能准确衡量SRAM芯片的老化程度、不能给出老化程度安全示警的问题。该系统包括:压印力度检测模块,用于启动后自动检测待测SRAM芯片的压...
李博
苏泽鑫
宿晓慧
王磊
卜建辉
赵发展
韩郑生
一种SRAM芯片安全性能的测试方法
本发明涉及一种SRAM芯片安全性能的测试方法,属于芯片检测技术领域,解决了现有技术评估变量过于单一、无法准确衡量老化压印的问题。该方法包括步骤:对多个待测SRAM芯片上电,并对其存储阵列的背栅电压进行初始化,获得每一SR...
李博
苏泽鑫
宿晓慧
王磊
卜建辉
赵发展
韩郑生
一种自动校验数据的SRAM安全存储系统及其方法
本发明涉及一种自动校验数据的SRAM安全存储系统,属于SRAM存储技术领域,解决了现有技术不能准确衡量SRAM芯片的老化程度、不能给出自动校验SRAM安全性的问题。该系统包括:计时模块,用于监测各个SRAM芯片的待机时间...
李博
苏泽鑫
宿晓慧
王磊
卜建辉
赵发展
韩郑生
文献传递
一种单粒子瞬态脉冲信号幅度测量电路
一种瞬态脉冲幅度测量电路,包括:预处理电路,具有单粒子脉冲接收端、复位输入端、预处理信号输出端、检测信号输出端及正误信号输出端,根据输入脉冲产生预处理信号,及第一级检测信号,并给出正误信号判断输入脉冲宽度是否满足测试要求...
宿晓慧
罗家俊
郝乐
毕津顺
李欣欣
赵海涛
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单粒子瞬态脉冲宽度测量电路
本发明公开单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,包括单粒子脉冲信号产生电路(103)及至少一级测量电路;由双稳态电路构成测量电路的第一级;从测量电路的第二级开始,每一级电路包括延迟电路、逻辑门电路和双稳态电路;其中第二级电路中,延...
宿晓慧
毕津顺
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集成电路测试方法
本发明提供了一种集成电路测试方法,包括设计指标参数确定、电路图输入、前仿真、版图设计、版图验证&寄生参数提取、后仿真、流片,其特征在于,前仿真和后仿真使用晶体管级SPICE网表,该晶体管级SPICE网表能转换为自...
郝乐
宿晓慧
韩郑生
罗家俊
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