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张玉才

作品数：2 被引量：28H指数：2
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇点火
  • 1篇点火器
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩击穿
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体桥
  • 1篇RF功率

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇张玉才
  • 2篇胡思福
  • 1篇周蓉
  • 1篇岳素格

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半导体桥(SCB)的研究被引量：26
1998年
目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒），且易误触发．本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十分之一），结构上兼有Ｓｉ桥区倒圆点和Ｔｉ、Ａｌ金属导体倒圆点两大特点，其点火临界能量可降低到３～５ｍＪ，作用时间可缩短到５μｓ，从而能快速产生热等离子体来引爆猛炸药．同时，ＳＣＢ还具有较高的可靠性和安全性，其安全电流大于１．５Ａ．本文分析了ＳＣＢ工作原理，并研究了ＳＣＢ的结构对临界能量、点火作用时间、可靠性和安全电流的影响。
周蓉岳素格秦卉芊张玉才胡思福
关键词：半导体桥点火器半导体技术
深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析被引量：2
1999年
本文提出一种能有效提高 Ｒ Ｆ 功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱 Ｒ Ｆ 功率双极晶体管，并且采用 Ｍ Ｅ Ｄ Ｉ Ｃ Ｉ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板．采用这种技术的功率晶体管（ Ｖ Ｈ Ｆ，线性输出功率 １５ Ｗ ）的结构参数为 Ｎ Ｃ＝ ７０×１０１５ ｃｍ － ３ Ｎ 型外延层，集电结结深 Ｘ Ｊ Ｃ＝ ０３μｍ ，未掺杂多晶硅填充深槽．典型的器件雪崩击穿电压为 Ｂ Ｖ Ｃ Ｂ Ｏ＝ ７２ Ｖ，截止频率 １６ Ｇ Ｈｚ；并且该晶体管具有较小的漏电流（～２０μ Ａ）．这初步显示了深阱结构在 Ｒ Ｆ
张玉才胡思福
关键词：双极晶体管雪崩击穿
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