曾祥斌
- 作品数：26 被引量：40H指数：4
- 供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程一般工业技术更多>>
- 用激光合成线性热敏电阻瓷料被引量：1
- 1995年
- 采用Ｃ０２激光合成陶瓷材料新工艺合成出Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３。系线性热敏电阻材料，该材料在－２０～２３０℃范围内具有良好线性，讨论了激光合成工艺参数如激光功率、作用时间等对合成材料性能的影响，分析了合成材料的导电机理。
- 曾祥斌白铁城
- 陶瓷材料的激光合成工艺研究
- 1995年
- 采用激光作热源合成了Ａｌ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，ＣｄＯ－ＷＯ_３，Ｆｅ_２Ｏ_３－ＷＯ_３等系列陶瓷材料。测量这些材料的阻温特性，结果表明这些材料都是负温度系数热敏电阻材料。讨论激光合成陶瓷工艺过程中所表现出来的特殊生长形态，这些形态与激光在合成材料中形成的温场分布、材料的导热特性、材料对激光的吸收等有关。通过理论计算得出的温场分布与实验结果很好符合。论述用激光作热源合成陶瓷与传统工艺相比所具有的独特优点，指出该工艺目前尚未解决的问题及今后的研究方向。
- 曾祥斌白铁城于军
- 关键词：陶瓷材料
- 氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响被引量：1
- 1990年
- 本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。
- 于军曾祥斌
- 关键词：电阻器金属膜AIN薄膜
- 真空溅射制备PZT铁电薄膜
- 1998年
- 采用射频溅射法制备了ＰＺＴ铁电薄膜材料，测量了薄膜材料的介电常数和电滞回线，分析了薄膜的成分。ＸＲＤ分析结果表明，溅射形成的ＰＺＴ薄膜的结构和铁电性能强烈依赖于成膜工艺中的衬底温度。薄膜的居里点为２５０℃左右，靶的组成以Ｐｂ１．１０（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３为宜。
- 曾祥斌白铁城徐重阳
- 关键词：PZT薄膜FRAM电滞回线铁电薄膜
- 铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究被引量：4
- 2001年
- 介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜 ,而后于氮气保护中退火 ,实现了非晶硅薄膜的低温 ( <60 0℃ )晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法 ,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响 ,确定了所制备的是多晶硅薄膜。
- 饶瑞徐重阳王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
- 关键词：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化多晶硅薄膜
- PECVD法制备纳米硅薄膜材料被引量：5
- 1999年
- 采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ） 法制备了纳米硅薄膜材料， 研究了工艺参数， 如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。
- 曾祥斌徐重阳王长安墙威周雪梅赵伯芳戴永兵
- 关键词：PECVD法
- 铁氧体电极材料的研究被引量：3
- 1997年
- 铁氧体电极材料是一种新型耐腐蚀材料，报告了铁氧体电极材料的制备工艺，测量了它的阻-温特性，研究了其微观形貌，获得了密度为4.5g／cm3、电阻车10－2Ω·cm和腐蚀率1.836g／m2·a的铁氧体电极材料。这种电极材料可用于电力系统的接地体以及其他恶劣环境中。
- 白铁城曾祥斌丘睦钦
- 关键词：铁氧体电极材料腐蚀率电阻率
- Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究被引量：4
- 2000年
- 以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)＋1Si（OCH_3）]和正硅酸乙脂（TEOS）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法制备出SiC凝胶膜，在Ar气氛下烧结，制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜（TEM）结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究，根据分析和观察结果，膜由颗粒尺寸在直径为2nm－4nm，长度为20nm－40nm左右的SiC纳米晶须构成，纯度高，且膜为不均匀孔膜。
- 张洪涛徐重阳邹雪城曾祥斌王长安赵伯芳周雪梅
- 关键词：纳米晶须溶胶凝胶法碳化硅
- 激光合成Al_2O_3-WO_3陶瓷材料的显微分析
- 1998年
- 用Ｘ射线衍射等技术分析了激光合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料，结果表明在激光合成样品中形成柱状晶，而常规工艺和Ｎ２气氛中烧结样品不含有柱状晶，柱状晶的成分主要是Ａｌ２Ｏ３。进一步的分析表明Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷合成样品的导电相是ＡｌｘＷＯ３。
- 曾祥斌
- 关键词：柱状晶电工陶瓷
- (Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜热敏电容器的研制被引量：5
- 2000年
- 采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的BST((Ba0 .7Sr0 .3)TiO3)铁电薄膜热敏电容器 .介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺 .根据热敏电容器的电容 -温度曲线 ,分析了热敏电容器的工作原理 .实验结果表明BST铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近 ,约 2
- 刘世建徐重阳曾祥斌赵伯芳
- 关键词：BST铁电薄膜
