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表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法: 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；...; 熊绍珍吴春亚李娟李学东孟志国李鹤; 文献传递

表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法: 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；...; 熊绍珍吴春亚李学东孟志国李娟李鹤; 文献传递

表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究被引量：1: 2008年; 提出了一种表面修饰的金属诱导晶化方法,以稳定地获得晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜.为在非晶硅表面获得均匀稳定的Ni源,在晶化前驱物表面浸沾Ni盐溶液之前,先旋涂一层表面亲合剂.通过控制Ni盐溶液的浓度,可以获得均匀性较好、晶粒尺寸分布在20—70μm的多晶硅薄膜.该方法的特点是改善了Ni盐溶液在表面的黏附状态,从而可在比常规Ni盐溶液浓度低1—2个数量级的情况下仍能获得大晶粒的多晶薄膜.; 李鹤李学东李娟吴春亚孟志国熊绍珍张丽珠; 关键词：表面修饰多晶硅均匀性

晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究被引量：3: 2010年; 以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。; 罗翀李娟李鹤孟志国熊绍珍郭海成张志林; 关键词：多晶硅薄膜

多晶硅薄膜太阳电池的研究: 除非晶硅、微晶硅薄膜材料在光伏和平板显示领域有广泛的应用之外，多晶硅材料以其稳定性好、迁移率高的特点得到越来越多的关注。本文针对多晶硅材料在薄膜太阳能电池领域的应用进行了研究。主要研究内容及结果如下：　　 ⑴对基于表面...; 李鹤; 关键词：太阳能电池多晶硅薄膜陷光结构薄膜光学; 文献传递

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李鹤