林舜辉
- 作品数：19 被引量：91H指数：5
- 供职机构：汕头大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广东省科委资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法
- 1997年
- 本文报道了光吸收谱的恒定光电流（ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的光吸收谱，同时观测了ＳｔａｅｂｌｅｒＷｒｏｎｓｋｉ（ＳＷ）效应中样品吸收系数的变化。
- 林舜辉陈忍昌林逸华林璇英
- 关键词：氢化非晶硅光吸收谱
- 用标准跳线对比法测量光纤活动连接器插入损耗
- 2002年
- 本文分析光纤活动连接器产生插入损耗的原因 ,介绍减小插入损耗的一些方法 ,并用标准跳线对比法测量光纤活动连接器的插入损耗 .用标准跳线对比法测量能很好消除连接器产生的反向反射光的影响 ,使测量结果更为准确 。
- 黄翀欧阳艳东林舜辉
- 关键词：光纤活动连接器插入损耗偏心率光纤通信
- 无阻尼时滞双线性系统动态输出反馈镇定问题
- 2002年
- 本文讨论一类无阻尼时滞非线性系统的可镇定问题 .利用系统状态全维 Luenberger观测器的设计思想、L yapunov- Krasovskii泛涵法和分离原理 。
- 张振娟林舜辉
- 关键词：可镇定性控制器
- 非晶硅薄膜厚度均匀性对其透射光谱的影响被引量：6
- 2004年
- 针对膜厚的均匀性对非晶硅薄膜透射光谱 (40 0～ 1 0 0 0 nm)的影响问题 ,通过模拟计算分析在不同膜厚、厚度 (线性 )变化率和照射面积条件下 ,厚度均匀性对谱线的影响 .结果表明这种影响主要发生在薄膜的无吸收区和弱吸收区 ,表现为峰—峰值变小和振荡周期畸变 .
- 余云鹏林舜辉黄翀林璇英
- 关键词：非晶硅薄膜透射光谱光电材料
- 氩直流辉光放电等离子体中电子运动及能量的模拟被引量：5
- 2004年
- 采用自动调节时间步长的蒙特卡罗模拟,对平行板放电系统中的氩气直流辉光放电系统中的等离子体区内电子的运动过程进行了跟踪和抽样。统计结果表明:在我们的实验条件下,等离子体中的电子在电场作用下出现明显的轴向漂移;在40000次抽样中,出现能量为E的电子数目随能量E增大呈下降趋势,场强增大将引起能量分布展宽和电子平均能量增加;即使场强达到15V·cm-1,等离子体激发和电离仍是很少的;场强和气压都能明显改变电子的平均自由程。
- 余云鹏林舜辉林旭升池凌飞林璇英林揆训
- 关键词：辉光放电等离子体电子运动电子能量蒙特卡罗模拟
- 液晶显示用新型偏光片紫外光谱特性研究被引量：1
- 2003年
- 通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性,分析比较一般偏光片和防紫外偏光片F1225DU的紫外透射光谱,从而说明新型偏光片的防紫外特性。F1225DU对紫外线有比较好的吸收,能挡住各种波长的紫外光,起防止紫外光破坏液晶显示器件的作用。
- 欧阳艳东黄翀余云鹏林舜辉
- 关键词：偏光片紫外光透射光谱ITO
- 蓝光过滤多层功能薄膜的遗传算法设计被引量：2
- 2017年
- 目的设计出一种在380~455 nm波段具有高反射率,但在500~760 nm波段具有低反射率的多层薄膜结构。方法采用遗传算法,采取截断选择策略,并引入小生境技术,选择灵活性较好的容差型评价函数,通过改变目标反射率,使功能薄膜在可见光波段具有增透与增反两种特性。采用八层不同折射率材料交替结构,计算得出满足光谱特性要求的全局膜系结构参数。结果当材料为硫化锌和氟化镁,厚度为324、142、68、46、51、51、56、145 nm时,380~455 nm波长处的平均反射率高达88.54%,500~760 nm波长处的平均反射率仅为2.00%。由几种常用光学薄膜材料的不同搭配,发现材料的折射率差与两波段的平均反射率差呈现相同趋势。当两种材料的折射率差为0.92时,两波段的平均反射率差为86.54%。结论采用的遗传算法可以简单有效地对多层薄膜结构进行优化,为获得较为理想的蓝光过滤功能薄膜,应尽可能选择折射率差大的两种材料。
- 连松友姜国利余云鹏林舜辉林钢徐从康王江涌
- 关键词：遗传算法多层膜
- 大学物理实验课程问卷调查及改革实践被引量：1
- 2021年
- 为提高大学物理实验教学质量,实验中心对大学物理实验课程进行了问卷调查,分析和总结了实验预习、教学指导、操作、报告等实验教学环节出现的问题.以问卷调查结果为课程改革依据,提出了将信息技术深度融合实验教学的改革方案.建设微信公众教学平台和虚拟仿真教学平台,辅助实验预习;建立以学生合作学习模式为主,教师指导为辅的教学指导模式,建立在线答疑学习群,全程覆盖课程答疑.有针对性地解决传统教学模式各环节出现的问题,提高了大学物理实验教学质量和水平.
- 吕秀品李林池凌飞林舜辉杨玮枫
- 关键词：大学物理实验问卷调查教学改革
- 光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响被引量：2
- 2006年
- 报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%.暗电阻的实验结果显示:材料具有弱的持久光电导效应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程,而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关.根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因.
- 余云鹏林璇英林舜辉黄锐
- 关键词：微晶硅光照
- 氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：34
- 2003年
- Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 .
- 罗志林璇英林舜辉余楚迎林揆训余云鹏谭伟锋
- 关键词：氢化非晶硅薄膜红外吸收谱氢含量
