江庆军
- 作品数：22 被引量：7H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃烧法制备与TFT器件性能被引量：2
- 2017年
- 本文采用溶液燃烧法,在较低温度下成功制备出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作沟道层制备薄膜晶体管(TFT)。研究了Ti掺入对薄膜的结构、光学性能、元素化学态以及对TFT器件电学性能影响。研究结果表明,所制得的ZTTO薄膜均为非晶结构,可见光透过率大于84%;适量Ti的掺入可作为载流子抑制剂有效降低薄膜中的氧空位缺陷浓度,从而提升TFT器件性能。当Zn/Ti摩尔百分比为30/1时,ZTTO TFT性能良好,开关比可达3.54×10~5。
- 冯丽莎江庆军叶志镇吕建国
- 关键词：非晶态薄膜晶体管
- 一种应用于非晶Si太阳能电池的ZnO：Al绒面薄膜
- 本发明公开了一种利用CH<Sub>3</Sub>COONH<Sub>4</Sub>溶液腐蚀制备的应用于非晶Si太阳能电池中的绒面ZnO：Al透明导电薄膜的方法。该类绒面ZnO：Al薄膜由磁控溅射方法制备，靶材由高纯度的Z...
- 吕建国江庆军袁禹亮杨振辉叶志镇
- 文献传递
- 用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
- 本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<Sub>x</Sub>Sn<Sub>7</Sub>O<Sub>1.5x+18</Sub>(0≦x≦...
- 吕建国江庆军孙汝杰闫伟超杨振辉叶志镇
- 文献传递
- 用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
- 本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<Sub>x</Sub>Sn<Sub>7</Sub>O<Sub>1.5x+18</Sub>(0≦x≦...
- 吕建国江庆军孙汝杰闫伟超杨振辉叶志镇
- 文献传递
- ZnO:Al和ZnAlSnO半导体薄膜及其光电子器件研究
- 本论文的工作分为三个部分，第一部分主要涉及ZnO:Al透明导电薄膜;第二部分是关于非晶透明氧化物 TFTs;第三部分是关于非晶氧化物传感（紫外探测，气敏探测及溶剂传感探测）。 氧化锌（ZnO）是一种新型宽带隙半导体材料...
- 江庆军
- 关键词：半导体薄膜光电子器件光学性能电学性能
- 文献传递
- 一种非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法。所述的非晶ZnSnO薄膜晶体管型紫外探测器包括：低阻Si为衬底，同时为栅极；SiO<Sub>2</Sub>薄膜为绝缘层；非晶ZnSnO薄膜为沟道层；Al薄...
- 吕建国冯丽莎江庆军叶志镇
- 文献传递
- 一种紫外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，以及一种用作紫外探测器光激活层的非晶氧化物薄膜。该紫外探测器包含衬底、光激活层及一对电极，且光激活层为非晶氧化物薄膜，该非晶氧化物薄膜的化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<S...
- 吕建国江庆军孙汝杰冯丽莎朱恒伟
- 宽禁带氧化物半导体薄膜与透明电子学
- 锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件的半导体材料.本文中,主要探讨ZnO:Al(AZO)和ZnAlSnO薄膜的生长、性能及...
- 吕建国江庆军冯丽莎叶志镇
- 一种ZnO基薄膜及其制备方法
- 本发明公开的ZnO基薄膜，在ZnO基薄膜中镶嵌有ZnO基纳米片，ZnO基薄膜及ZnO基纳米片的化学式均为Zn<Sub>1-x</Sub>M<Sub>x</Sub>O，M=Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦<i&...
- 吕建国江庆军袁禹亮叶志镇
- 文献传递
- 薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响被引量：5
- 2016年
- 在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。
- 张哲浩吕建国江庆军叶志镇
- 关键词：直流磁控溅射
