您的位置: 专家智库 > >

熊稳

作品数:6 被引量:28H指数:3
供职机构:重庆大学更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇激子
  • 2篇束缚能
  • 2篇能级
  • 2篇纤锌矿
  • 1篇导体
  • 1篇电声耦合
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇势阱
  • 1篇通风
  • 1篇能级计算
  • 1篇子结构
  • 1篇外框
  • 1篇外腔
  • 1篇无限深势阱
  • 1篇吸声
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇纤锌矿结构
  • 1篇谐振腔

机构

  • 6篇重庆大学

作者

  • 6篇熊稳
  • 4篇赵铧
  • 1篇刘高斌
  • 1篇朱孟兆
  • 1篇郭富胜
  • 1篇王伟
  • 1篇李韦

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇量子光学学报
  • 1篇重庆大学学报...

年份

  • 1篇2021
  • 4篇2007
  • 1篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
非单一低频超开放通风可调节吸声单元
本发明公开了一种非单一低频超开放通风可调节吸声单元,每个分列管谐振腔的内腔由一个固定内框和左右两个拉动可调内框围成,每个分列管谐振腔的外腔由固定外框和左右两个拉动可调外框围成,所述固定内框与两个拉动可调内框分别通过类注射...
熊稳黄映洲田红星向霄吴肖肖
文献传递
晶体薄膜中的电子结构研究
自从提出激子的概念以来,对半导体中激子的理论与实验研究已经大约有40多年的历史,从实验角度看,研究半导体中激子的实验装置比较简单,主要采用光学方法。实验过程中样品温度较高,导致实验成本较低。理论研究方面,由于固体中电子和...
熊稳
关键词:激子晶体薄膜氧化锌薄膜纤锌矿结构电子结构
文献传递
厚度为d的薄膜中激子及其边界极化对其能级的影响
2006年
研究了在厚度为d的薄膜中的激子能级和由于边界极化效应对激子能级的影响;这种影响归结为电子和空穴的镜像电荷对电子与空穴的相互作用.结果发现,这种相互作用对激子的能级有所降低以及对有机薄膜和无机薄膜(它们的介电常数不同)的材料,这种相互作用对激子能级的影响大不相同.
赵铧熊稳
关键词:能级
无限深势阱下杂质量子点的能级计算被引量:5
2007年
在有效质量近似下,垂直方向采用无限深势阱限制势,在x-y平面上,量子点内采用抛物势近似,在量子点边界处采用与实际情况更接近的无限深势阱。在中心杂质电荷为ηe时,利用波函数近似,得到基态和低激发态的能级,与x-y平面均采用抛物势时得到的能级进行了比较。计算发现在量子点真实半径比较小时,电子的基态和低激发态受其影响很大,而相应的能级随量子点的半径逐步增大。在量子点半径大于5倍有效玻尔半径时,能级受其影响已经变得很弱。并且,随着磁场的变化,量子点半径对基态和第一激发态的能级差的影响也很大。最后我们计算了杂质电子的基态束缚能并讨论了声子对其影响。
朱孟兆赵铧熊稳
关键词:量子点磁场无限深势阱束缚能电声耦合
ZnO薄膜的激子能量和束缚能的计算被引量:13
2007年
采用有效质量近似,将耦合在一起的6×6价带本征方程分开来考虑,取激子试探波函数为z方向和x-y平面分离的形式,用变分法计算了ZnO薄膜重空穴带激子基态能、第一激发态能、束缚能和激子的半径随薄膜厚度的变化关系,并讨论了电子波函数的量子隧穿效应对厚度d<2.0nm薄膜的能量修正.
熊稳赵铧
关键词:激子ZNO薄膜纤锌矿
ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展被引量:10
2007年
作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状,分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。
赵铧李韦刘高斌熊稳王伟郭富胜
关键词:氧化锌纳米材料
共1页<1>
聚类工具0