牛新环
- 作品数：124 被引量：316H指数：9
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 钨CMP中碱性抛光液组分间化学作用及其影响被引量：2
- 2015年
- CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为氧化剂、有机碱为pH调节剂的钨碱性抛光液组分之间的化学相互作用进行理论分析。纳米SiO2表面存在不饱和的羟基,和有机碱之间存在化学反应,在抛光过程中不仅起机械研磨的作用,同时以化学抛光作用对抛光产生影响。有机碱和H2O2之间的氧化还原反应会使抛光液中的OH-含量发生变化,氧化能力降低,从而影响钨的抛光速率。
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- 关键词：碱性抛光液抛光速率
- IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展被引量：6
- 2019年
- 化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂--苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。
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- 关键词：结构性损伤电偶腐蚀
- 硅锗合金单晶的制备
- 张维连陈洪建张恩怀孙军生张建新牛新环
- 该项目采用CZ法和PMCZ法研制出了Φ≥50mm的硅锗单晶。其利用FTIR、SEM、SIMS、化学光谱、X-RAY、EDX等分析手段对硅中锗的含量、分布形式、有效分凝系数、氧浓度和氧沉淀的行为、电阻率热稳定性、锗浓度对晶...
- 关键词：
- 关键词：生产工艺
- TSV Cu CMP碱性抛光液及工艺被引量：5
- 2013年
- 穿透硅通孔(through silicon via,TSV)技术采用铜作为互连材料,晶圆表面沉积了一层厚厚的铜膜,对铜去除速率提出了新要求。从化学机械平坦化(CMP)过程的机理出发,对影响铜去除速率的因素,如磨料、活性剂、氧化剂、螯合剂以及抛光工艺中抛头转速、转盘转速、抛光液流量、工作压力进行了单因素实验和规律分析。通过单因素实验得出,在磨料、活性剂、氧化剂和螯合剂的体积分数分别为50%,1.5%,0.5%和5%,抛头转速和转盘转速分别为105和100 r/min、抛光液流量为225 mL/min和工作压力为4 psi(1 psi=6 895 Pa)时,铜去除速率高达1.5μm/min。
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- 关键词：单因素抛光液
- 超大规模集成电路铝布线抛光液
- 本发明公开了一种化学作用强、去除速率快、无污染、无划伤、易清洗且成本低的超大规模集成电路多层铝布线碱性抛光液。抛光液成分和重量％比组成如下：pH值调节剂1－10、硅溶胶10－90、表面活性剂0.5－5、氧化剂0.5－5、...
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- 文献传递
- 基于Arrhenius方程研究活性剂对铜CMP粗糙度的影响被引量：6
- 2016年
- 选用非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO),通过自制的碱性铜抛光液,在E460E机台上研究不同体积分数活性剂对铜化学机械抛光(CMP)效果的影响。利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后铜表面粗糙度,采用接触角测试仪测试不同的抛光液在铜表面的接触角。结果表明:铜抛光速率随着活性剂体积分数的增加呈缓慢降低趋势,加入活性剂可显著降低抛光后铜表面粗糙度。当加入体积分数3.0%的活性剂时,铜抛光速率从678.096 nm/min降低到625.638 nm/min,同时铜表面粗糙度从10.52 nm降低到1.784 nm,接触角从28.33°降低到12.25°。活性剂分子优先吸附在抛光后铜表面形成一层分子膜,表面粗糙度降低的根本原因是该分子膜增加了化学反应的活化能以及提高了抛光液的润湿性。基于Arrhenius方程,从活化能和温度两个参数阐述活性剂降低铜表面粗糙度的机制。
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- 关键词：表面粗糙度活化能接触角
- 光学石英玻璃CMP抛光液的研究
- 2016年
- 针对光学石英玻璃在表面化学机械抛光(CMP)过程中易出现表面及亚表面损伤和蚀坑等缺陷问题,提出了采用低抛光压力和低磨料体积分数的CMP方法。机械作用是引起表面及亚表面损伤的关键因素,低抛光压力可以有效降低抛光过程中施于晶体表面的机械作用,抛光液中低磨料体积分数既可降低一定的机械作用又可降低由于高磨料体积分数引起的表面沾污。在降低机械作用的基础上,为获得较高的去除速率和较佳的表面质量,选用大分子胺碱作为pH调节剂,以增加质量传递作用。通过大量实验证实,粒径60 nm的硅溶胶磨料体积分数为8%、活性剂体积分数为5%、螯合剂体积分数为1%、pH值为9和抛光压力为1 psi(1 psi=6 895 Pa)的条件下,可获得较高的去除速率和较佳的表面质量,此时的去除速率为52.8 nm/min、表面粗糙度为0.126 nm。此结果可对业内此类材料的超精密加工提供一定的参考。
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- 关键词：石英玻璃去除速率表面粗糙度
- 蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液及其循环使用方法
- 本发明涉及一种蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液,其主要组成成分按重量％计，包括重量浓度2-50wt％以及粒径15-150nm的纳米SiO<Sub>2</Sub>水溶胶10-50％、活性剂0.05-1％，螯合剂0.1-1％，p...
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- 低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究被引量：1
- 2016年
- 主要研究了低磨料质量分数阻挡层抛光液的抛光性能,并将其与商用抛光液进行了对比。由实验结果可以看出,当固定抛光液中的磨料质量分数时,铜的去除速率随着磨料粒径的减小而升高。当固定磨料粒径不变时,铜的去除速率随着磨料质量分数的升高而迅速升高,而钽略有升高但不明显。当磨料质量分数为5%时,铜和钽的去除速率选择比最优。通过对比实验可以看出,用磨料质量分数为5%的抛光液抛光后,晶圆表面粗糙度较商用抛光液降低了约30%,并且磨料质量分数为5%的抛光液抛光后的晶圆蝶形坑明显优于商用抛光液抛光后的晶圆蝶形坑。
- 洪姣牛新环刘玉岭王辰伟王如孙鸣高宝红岳昕李祥州李月
- 关键词：阻挡层去除速率粗糙度
- 大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法
- 本发明公开了一种大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法。本发明按照下述步骤进行：使用红外光谱仪测量直径150-300mm的大直径硅片中测试点的碳氢键和碳氧键是否存在，所述测试点为在晶圆上选取的星型分布的17个点，...
- 潘国峰刘玉岭王如牛新环孙鸣刘畅
- 文献传递
