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王兰兰
作品数:
4
被引量:1
H指数:1
供职机构:
天津理工大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张楷亮
天津理工大学
王芳
天津理工大学
赵金石
天津理工大学
宋凯
天津理工大学
朱宇清
天津理工大学
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机构
4篇
天津理工大学
作者
4篇
王兰兰
3篇
王芳
3篇
张楷亮
2篇
宋凯
2篇
赵金石
1篇
任君
1篇
张涛峰
1篇
尹立国
1篇
朱宇清
年份
1篇
2013
1篇
2012
2篇
2011
共
4
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TiO2薄膜的制备及其MIT特性研究
近几年,新型非挥发性存储器,例如RRAM(Resistive Random Access Memory,RRAM),在下一代存储设备中的应用中引起了广泛的关注。基于二元过渡金属氧化物材料的电阻式随机存取存储器,表现出功耗...
王兰兰
关键词:
TIO2薄膜
电阻开关
肖特基势垒
随机存取存储器
基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器,由下电极、阻变转换层和上电极构成,阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构,P/N型氧化物叠层厚度<200nm,掺杂浓度<5at.%。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构...
张楷亮
宋凯
王芳
王兰兰
赵金石
文献传递
一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液及应用
一种用于氧化钛薄膜化学机械平坦化的纳米抛光液,由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成,其中纳米研磨料为氧化铈或二氧化硅,pH调节剂由无机pH调节剂和有机pH调节剂组成复合pH调节剂,...
张楷亮
张涛峰
王芳
任君
尹立国
王兰兰
朱宇清
文献传递
基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器,由下电极、阻变转换层和上电极构成,阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构,P/N型氧化物叠层厚度<200nm,掺杂浓度<5at.%。本发明的优越性在于采用P/N型氧化物叠层结构...
张楷亮
宋凯
王芳
王兰兰
赵金石
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