王冠宇
- 作品数：63 被引量：69H指数：5
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 多晶Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构
- 本发明公开了一种多晶Si<Sub>1-x</Sub>Ge<Sub>x</Sub>/金属并列覆盖双栅台阶式埋氧SSGOI nMOSFET器件结构，其技术方案在于该器件自上而下的结构为：多晶Si<Sub>1-x</Sub>G...
- 宋建军王冠宇张鹤鸣胡辉勇宣荣喜周春宇
- 文献传递
- 异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究被引量：3
- 2012年
- 为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响.通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合.研究表明:与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高,可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应,使器件性能得到了很大的提升.
- 曹磊刘红侠王冠宇
- 关键词：应变硅异质栅阈值电压解析模型
- 基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
- 本发明公开了一种基于多层辅助结构制备具有多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly-SiGe/SiO<Sub>2</Sub>/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly...
- 张鹤鸣戴显英舒斌宣荣喜胡辉勇宋建军王冠宇徐小波屈江涛
- 文献传递
- 一种SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法
- 本发明公开了一种SiO<Sub>2</Sub>掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－Si/SiO<Sub>2</Sub>/Poly－Si多层结构；将最上层的Pol...
- 张鹤鸣宣荣喜戴显英宋建军舒斌胡辉勇王冠宇秦珊珊王晓燕
- 文献传递
- SOI三维CMOS集成器件及其制作方法
- 本发明公开了一种SOI三维CMOS集成器件及其制作方法，它是微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维CMOS集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI...
- 张鹤鸣胡辉勇戴显英宣荣喜舒斌宋建军王冠宇
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- 应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型被引量：2
- 2013年
- 本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析,验证了本文提出的模型的正确性.该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考.
- 周春宇张鹤鸣胡辉勇庄奕琪舒斌王斌王冠宇
- 关键词：应变SINMOSFET阈值电压
- 一种低暗计数率CMOS单光子雪崩二极管被引量：3
- 2019年
- 基于标准0.18μm CMOS工艺设计了一种新型单光子雪崩二极管(SPAD)器件。该SPAD以p-well/n-well轻掺杂雪崩结作为器件的核心工作区域,同时利用三个相邻n阱间的横向扩散在pn结边缘形成n-虚拟保护环以提高器件的性能。采用Silvaco软件对该器件的电场分布、响应度、击穿电压、光子探测效率和暗计数率等性能参数进行了仿真分析。仿真结果表明:当SPAD器件的光窗口直径为20μm且n阱间隙宽度为1.4μm时,其雪崩击穿电压为13V;在过偏压为1V时,其探测效率峰值和暗计数率分别为37%和0.82kHz;在450～700nm波长范围器件的响应度较好,且在500nm处达到峰值0.33A/W。
- 王巍王广王伊昌曾虹谙王冠宇唐政维袁军
- 关键词：CMOS工艺响应度
- PASC系统中医学图像处理工作站的相关技术研究
- 医学图像处理工作站是PACS系统中重要的组成部分，是医生对医学影像信息进行分析和处理的主要工具。图像处理工作站中所实现的功能是多领域技术综合应用的体现，主要涉及计算机应用技术、数字图像处理、计算机可视化技术、医疗诊断技术...
- 王冠宇
- 关键词：三维重建中医学计算机辅助诊断光线投射法
- 文献传递
- 用微米级工艺制备纳米级CMOS集成电路的方法
- 本发明公开了一种用微米级工艺制备纳米级CMOS集成电路的方法。其过程为：制造出N/P阱，并在N/P阱上生长Poly－Si/SiN/Poly－Si多层结构；将最上层的Poly－Si刻蚀成一个窗口，再淀积一层SiO<Sub>...
- 张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜舒斌宋建军王冠宇秦珊珊王晓燕
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- [110]／(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型被引量：5
- 2011年
- 本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体Si材料能带结构参数的影响,在此基础上计算出单轴应变Si中平衡载流子浓度,给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式.最后,结合有效态密度和禁带宽度的表达式,建立了[110]/(001)单轴应变Si本征载流子浓度模型.本文的研究方法亦适用于建立(001)面任意应力方向上的应变Si本征载流子浓度模型,并为相关单轴应变Si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考.
- 王冠宇马建立张鹤鸣王晓艳王斌
- 关键词：/(001)单轴应变si
