王凯
- 作品数:51 被引量:69H指数:2
- 供职机构:陕西科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:自动化与计算机技术机械工程一般工业技术电气工程更多>>
- 一种碲化钼中空纳米球及其制备方法
- 本发明公开了一种碲化钼中空纳米球及其制备方法,属于二次电池电极材料制备以及环境和能源的可持续发展领域。本发明的碲化钼中空纳米球的制备方法,所用原料为工业级产品,通过水热法结合煅烧法合成了碲化钼中空纳米球,反应工艺简便、能...
- 张利锋王凯贺可欣刘毅郭守武
- 一种可调光稀土掺杂钼酸镧锂荧光粉及其制备方法
- 本发明涉及一种可调光稀土掺杂钼酸镧锂荧光粉及其制备方法,先按摩尔比为1:(1‑x):4:0.05:x,分别取Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>粉体、La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
- 刘运王凯刘丁菡马随艳赵敏竹
- 文献传递
- 一种用于近紫外光激发的红色荧光粉及其制备方法
- 本发明公开了一种用于近紫外光激发的红色荧光粉及其制备方法,先按照化学计量比2:(1‑x):x,分别取Li<Sub>2</Sub>MoO<Sub>4</Sub>粉体,La(No<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Su...
- 刘运朱毅刘丁菡王凯白少杰王蓉叶森
- 文献传递
- 一种高光效铕镝双掺杂稀土离子钼酸钨酸镧钾基质的白色荧光粉及其制备方法
- 本发明涉及一种高光效铕镝双掺杂稀土离子钼酸钨酸镧钾基质的白色荧光粉及其制备方法,先分别取钼源、钨源、钾源、铕源、镝源和镧源进行混合,得到混合物;其中,Eu、Dy、La和K的总摩尔量与Mo和W的总摩尔量之比为1:1,且Eu...
- 刘丁菡郭毅刘运李晋阳左浩强马随艳赵敏竹王凯
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- 一种镝掺杂的钼酸镧锂荧光粉及其制备方法
- 本发明涉及一种镝掺杂的钼酸镧锂荧光粉及其制备方法,先按摩尔比为1:(1‑x):4:x,分别取Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>粉体、La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、MoO...
- 刘运王凯刘丁菡马随艳赵敏竹
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- 一种稀土离子双掺杂Bi<Sub>4</Sub>P<Sub>2</Sub>O<Sub>11</Sub>发光材料及其制备方法
- 本发明一种稀土离子双掺杂Bi<Sub>4</Sub>P<Sub>2</Sub>O<Sub>11</Sub>发光材料及其制备方法,方法包括步骤1,将Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、NH<Sub>4<...
- 刘丁菡刘运陶兴旺王凯白少杰王蓉
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- 基于改进YOLOv5的复杂场景电动车头盔检测方法
- 2025年
- 佩戴电动车头盔是安全骑行的重要保障,对电动车驾乘人员佩戴头盔进行有效检测在保障驾乘人员安全方面具有重要意义。电动车头盔检测中存在目标之间相互遮挡、复杂背景干扰、头盔目标小等问题,现有方法尚不能满足复杂场景下电动车头盔检测的要求,因此,提出一种改进YOLOv5的复杂场景电动车头盔识别方法。首先,提出一种新的主干网络结构ML-CSPDarknet53,增强网络的特征提取能力,引入轻量级上采样算子CARAFE,利用特征图语义信息扩大感受野;其次,搭建坐标卷积CoordConv模块,增强网络对空间信息的感知能力,并将WIoU v3作为边界框损失函数,降低低质量样本对模型性能的不利影响;最后,构建了内容丰富的头盔检测数据集对改进算法进行验证。实验结果表明,改进后算法相较于原算法在精确度、召回率、mAP@0.5、mAP@0.5:0.95上分别提升了2.9%、3.0%、3.4%和2.2%,并且性能优于其他主流检测算法,满足复杂道路交通场景下电动车驾乘人员头盔检测的任务要求。
- 韩东辰张方晖王诗洋段克盼李宁星王凯
- 关键词:目标遮挡特征提取损失函数
- 一种锡、钒氧化物碳纤维共包覆硅锂离子电池复合材料的制备方法
- 一种锡、钒氧化物碳纤维共包覆硅锂离子电池复合材料及其制备方法,通过调控前驱体组分和溶液浓度来控制硅纳米粒子的均匀分散及其与锡/钒氧化物的分离,在硅纳米活性物质外围形成均匀且致密的双层保护层,从而控制复合材料的结构和性能,...
- 张利锋王凯李帅贺可欣
- 一种高PSRR低温漂无运放带隙基准
- 2024年
- 针对无运放带隙基准电压源温度特性及电源抑制比差的问题,设计一种高电源抑制比、低温漂的无运放带隙基准电路。该电路通过电流镜进行钳位,避免运算放大器失调电压对输出基准的影响,利用晶体管栅极与三极管基极生成稳定的补偿电流,以降低基准电压的高阶温度系数,输出端采用共源共栅结构提高电源抑制比。基于SMIC 0.18μm BCD工艺在Cadence环境下对电路进行仿真,仿真结果表明:在-40~125℃范围内,电路的温度系数为3.187×10^(-6)/℃,10 Hz时电源抑制比为-88.6 dB,1 MHz时电源抑制比为-50.2 dB。在考虑启动电路影响的情况下,电路在5 V电源下的静态电流为3.78μA,带隙基准的版图面积为160μm×183μm。可实现对基准电压高阶温度项的补偿,降低温度系数,并在没有滤波电容的条件下提高带隙基准的PSRR。
- 王凯张方晖杨旭王义晨李梓腾
- 关键词:带隙基准电源抑制比补偿电流
- 一种转化利用光伏硅废料的方法及应用
- 本发明公开了一种转化利用光伏硅废料的方法及应用,属于光伏硅废料转化技术领域。本发明公开的转化利用光伏硅废料的方法,将光伏硅废料与固体沥青和石墨相互作用,经过施加压力、加热和煅烧处理后,实现光伏硅废料的高附加值转化应用,整...
- 张利锋王凯张国鑫郭守武