王飞
- 作品数：17 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生理学核科学技术更多>>
- 一种时钟控制信号产生电路及方法
- 本发明适用于集成电路技术领域，提供一种时钟控制信号产生电路及方法，其中，该方方法包括：对N个供电电源进行检测，得到并输出N个一一对应的第一复位信号，其中，N为大于等于2的整数；将N个所述第一复位信号转换为目标电源域内一一...
- 黄磊税国华付晓伟林涛王志宽王飞李智囊冉明常小宇汪璐
- PNP输入双极运算放大器的辐射效应被引量：1
- 2012年
- 对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：低剂量率偏置
- TiW合金阻挡层对Cu/Cu^2+扩散的阻挡能力研究被引量：1
- 2009年
- 通过对Cu/Cu2+在TiW及硅中的扩散理论分析,从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0.38μm的PNP管β值的研究表明,80 nm以上厚度的TiW合金层可以在AlCu/TiW/Si系统中作为Cu/Cu2+的扩散阻挡层。
- 唐昭焕梁涛刘勇谭开洲王飞
- 关键词：半导体工艺扩散阻挡层PNP晶体管
- 在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件
- 本发明提供了一种在锗硅双极工艺中集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的方法及半导体器件，在本发明中，基于工艺制程步骤的巧妙设计，在锗硅双极工艺中同时集成双层多晶硅自对准垂直型双极晶体管的工艺制程，在不显著增加工艺复杂度的...
- 钟怡冉明黄东王飞刘青张静裴颖李智囊
- 新型PAGAT聚合物凝胶剂量计的磁共振成像研究被引量：1
- 2011年
- 使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明:剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,得出了剂量计的探测下限;剂量计样品的批均匀性好于3.2%,且剂量响应在0.05～1.00Gy/s之间基本与剂量率无关。此外,使用该剂量计对异质界面剂量分布的测量结果以及剂量增强效应进行了分析。
- 赵云何承发刘艳杨进军卫平强兰博崔江维费武雄李茂顺王飞
- 关键词：磁共振成像
- PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法
- 2011年
- 选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂量率辐照损伤,根据曲线的变化规律可以较快地鉴别器件是否存在低剂量率辐射损伤增强效应。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：双极运算放大器低剂量率辐射损伤增强效应
- 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究被引量：1
- 2012年
- 结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过一定的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测集成电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,数学回归分析与物理应力实验结合的方法提高了无损筛选的可靠性。
- 周东郭旗李豫东李明席善斌许发月王飞
- 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3
- 2011年
- 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。
- 席善斌王志宽陆妩王义元许发月周东李明王飞杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 凝胶剂量计调强放射治疗三维剂量验证初探
- 调强放射治疗(IMRT)是最先进的放射治疗技术之一,因其复杂性和三维治疗计划系统的逆向计算的优化算法在某些方面还不够成熟,所以治疗前必须进行剂量验证以确保治疗剂量的准确性。本文使用聚合物凝胶剂量计对调强放射治疗三维剂量的...
- 王飞何承发杨进于飞刘艳赵云孙玉润周东席善斌许发月李明
- 关键词：调强放射治疗磁共振成像
- 文献传递
- 低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺被引量：5
- 2017年
- 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。
- 王飞陈俊王学毅常小宇冉明杨永晖杨伟
- 关键词：磁控溅射温度系数电阻率
