申晓宁
- 作品数：3 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 太阳能电池单晶Si表面织构化的工艺改进被引量：6
- 2009年
- 通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化对金字塔绒面微观形貌的影响做了分析。最终通过大量实验得到,用质量分数为4%的Na2SiO3和2%的Na3PO4混合溶液在78℃腐蚀60min,单晶Si片表面可获得最佳反射率为11.98%的减反射绒面。单晶Si片表面的反射率优于单独使用Na2SiO3溶液腐蚀,更重要的是制得了很好的均匀性表面。
- 闫宝华檀柏梅刘玉岭孙增标申晓宁张研
- 关键词：单晶硅太阳电池绒面各向异性腐蚀
- 多线程串口类在实时数据采集系统中的应用被引量：6
- 2010年
- 讨论了CSerialPort串口类在数据采集系统中的应用。在VC.NET编译环境下,利用CSerialPort串口类,设计了串口通信软件,用于实时数据曲线的绘制、数据存储、打印及报警等处理。
- 申晓宁赵毅强张进檀柏梅张伟
- 关键词：串行通信RS232实时数据采集
- ULSI多层互连中W-CMP速率研究被引量：1
- 2009年
- 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响。在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液。实验证明,抛光液流量为150mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5mL/L,活性剂为5mL/L,H2O2质量浓度为20mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化。最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望。
- 张进刘玉岭申晓宁张伟苏艳勤
- 关键词：化学机械抛光抛光液抛光速率
