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胡国新

作品数：102 被引量：62H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 19篇会议论文
  • 3篇科技成果

领域

  • 46篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 34篇氮化镓
  • 26篇迁移率
  • 25篇金属有机物
  • 24篇衬底
  • 18篇晶体管
  • 16篇金属有机物化...
  • 16篇半导体
  • 16篇GAN
  • 15篇电子迁移率
  • 15篇迁移
  • 15篇MOCVD
  • 14篇铝镓氮
  • 14篇成核
  • 13篇高电子迁移率
  • 13篇ALGAN/...
  • 12篇碳化硅
  • 12篇分子束
  • 12篇分子束外延
  • 11篇氮化
  • 11篇半导体材料

机构

  • 102篇中国科学院
  • 5篇中国科学院微...
  • 2篇河北工业大学

作者

  • 102篇胡国新
  • 92篇王晓亮
  • 79篇李晋闽
  • 52篇冉军学
  • 52篇曾一平
  • 52篇肖红领
  • 50篇王军喜
  • 47篇王翠梅
  • 41篇李建平
  • 18篇马志勇
  • 17篇刘宏新
  • 14篇殷海波
  • 13篇张露
  • 13篇林兰英
  • 13篇孙殿照
  • 13篇罗卫军
  • 13篇杨翠柏
  • 12篇冉学军
  • 9篇刘成海
  • 8篇张小宾

传媒

  • 18篇Journa...
  • 9篇第十四届全国...
  • 3篇半导体技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇第十二届全国...
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 16篇2010
  • 8篇2009
  • 12篇2008
  • 13篇2007
  • 15篇2006
  • 7篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 5篇2002
  • 5篇2001
  • 2篇2000
共 102 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头
一种用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头，包括：一混气室，该混气室为一桶状，在混气室的上面或侧面连通有多个进气通道；一冷却匀气喷头，固接于混气室的下面。其中冷却匀气喷头包括：一上盖板、一下盖板和侧壁，该上盖板、一下...
冉军学胡强梁勇胡国新王军喜曾一平李晋闽
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
一种单结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在低温氮化镓成核...
王晓亮肖红领杨翠柏胡国新冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂In<Sub>a</Sub>Ga<Sub>1-a</Sub>N层制作在非有意掺杂...
王晓亮杨翠柏肖红领胡国新冉学军王翠梅张小宾李晋闽
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改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓...
王晓亮王翠梅胡国新王军喜李建平曾一平李晋闽
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄...
冉军学王晓亮李建平胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温...
王晓亮王新华冯春王保柱马志勇王军喜胡国新肖红领冉军学王翠梅
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分子束外延Ⅲ族氮化物场效应晶体管材料
本文报道了使用NH<,3>-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果.
孙殿照王晓亮胡国新王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
关键词：分子束外延GANALGAN/GAN半导体材料
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮...
王晓亮胡国新马志勇冉学军王翠敏肖红领王军喜李建平曾一平李晋闽
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层...
王晓亮马志勇冉学军肖红领王翠梅胡国新唐健罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂...
马志勇王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅罗卫军
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