胡淑红
- 作品数：68 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程电气工程更多>>
- 具有纯化母液功能的双衬底槽液相外延石墨舟
- 本专利公开了一种具有纯化母液功能的双衬底槽液相外延石墨舟，该石墨舟包括盖板、母液槽、双衬底槽滑板和主体槽，在双衬底槽滑板上有两个相邻的衬底槽A和B，按滑板移动方向，前一个衬底槽A装牺牲片,后一个衬底槽B装生长片，牺牲片用...
- 王洋胡淑红吕英飞戴宁
- 文献传递
- 人工微结构集成InAs基红外探测器
- 本专利公开了一种人工微结构集成InAs基红外探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极制备在阻挡层上，上电极制备在窗口层上，人工微结构制备在窗口层上的上...
- 周子骥林虹宇郝加明胡淑红孙艳戴宁
- 太赫兹探测技术在遥感应用中的研究进展被引量：16
- 2009年
- 近年来,世界各国都对太赫兹科学给予了很大的关注,相应的太赫兹辐射源和探测器的研究和发展速度加快,太赫兹技术应用也取得了实质的进展,特别是太赫兹波在空间天文观测和大气遥感中的应用。介绍了近些年发展起来的几种探测太赫兹电磁波的新技术及目前发射或建立的多种亚毫米波、太赫兹波探测系统在天文观测和大气遥感中的具体应用,显示了太赫兹波探测技术在遥感领域中的巨大应用前景。
- 戴宁葛进胡淑红张雷
- 关键词：遥感
- 〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测被引量：2
- 2009年
- 通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能.
- 王仍葛进李栋胡淑红方维政戴宁马国宏
- 锑化镓量子点的液相外延制备方法
- 本发明公开了一种锑化稼量子点的液相外延制备方法，该方法通过驱动马达将具有一定过冷度的生长源快速从砷化镓衬底表面推过，由于量子点材料和衬底表面所具有的晶格失配，从而在衬底表明形成锑化镓量子点材料结构。本发明的制备方法更为简...
- 胡淑红戴宁
- 文献传递
- 金属线栅结构中太赫兹波偏振特性的研究被引量：6
- 2010年
- 利用飞秒微加工和磁控溅射技术,在熔融石英衬底上设计并制作了不同结构的金属线栅,通过太赫兹时域光谱系统研究了线栅结构对太赫兹波偏振透射特性的影响,并用有限时域差分法对实验结果进行了模拟验证.分析了影响S和P两个偏振方向太赫兹波透射的物理机制.为制作太赫兹波段偏振器件提供了有益的参考.
- 栗芳芳李栋舒时伟马国宏葛进胡淑红戴宁
- 关键词：太赫兹飞秒激光偏振度
- 一种InAs基室温宽波段红外光电探测器
- 本发明公开了一种InAs基室温宽波段红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上。本发明提供的光电...
- 林虹宇胡淑红周子骥郝加明谢浩段永飞戴宁
- 文献传递
- PZT铁电薄膜的制备和应用
- 介绍了一种制备膜厚为数微米的均匀相和非均匀相(准周期性多层膜)铁电薄膜的有效方法,研究了PZT平面波导结构的光波导特性及准周期性多层铁电薄膜的布拉格反射特性.研究表明厚度在数微米的均匀相铁电薄膜膜层致密,棱镜耦合实验表明...
- 戴宁胡淑红胡古今洪学
- 关键词：PZT铁电薄膜布拉格反射器
- 文献传递
- 一种全自动控制的液相外延设备及控制方法
- 本发明公开了一种全自动控制的液相外延设备系统及控制方法，该系统包括进气系统、温度控制系统、电机控制系统和程序控制系统。该设备的特征是由Labview软件依据液相外延材料生长过程设置LPE程序参数，实现程控自动化系统材料外...
- 邱锋胡淑红王奇伟孙常鸿吕英飞郭建华邓惠勇戴宁
- 文献传递
- 晶格小失配InGaAsP材料特性及太阳电池应用被引量：3
- 2020年
- Ⅲ-Ⅴ族太阳电池效率的持续提升要求对能量转换材料的带隙宽度进行更细致划分,以实现对全光谱的高效利用。在短波红外波段,四元InGaAsP混晶材料因在带隙宽度和晶格常数的调节上具有很好的可操作性,是一种极具潜力的短波红外光电转换材料。本文对InGaAsP材料生长及子电池器件制备进行了研究,通过时间分辨荧光光谱、高分辨X射线衍射等表征手段对室温下晶格失配的InGaAsP材料进行了测试分析。实验结果表明,在一定程度负失配生长条件下,InGaAsP材料质量随着负失配程度逐渐提高。在后续电池制备过程中,一定程度负失配同样有助于电池器件性能提升,制备的单结电池开路电压由晶格匹配时的633 mV提高到负失配条件下的684 mV,从而为高效多结太阳电池的应用提供了新的技术路线。
- 陆宏波陆宏波李欣益李欣益张玮胡淑红
- 关键词：晶格失配INGAASPMOCVD
