2025年2月13日
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赵帆
作品数:
21
被引量:8
H指数:1
供职机构:
天津大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
化学工程
自动化与计算机技术
机械工程
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合作作者
张世林
天津大学电子信息工程学院
毛陆虹
天津大学电子信息工程学院
郭维廉
天津大学电子信息工程学院
谢生
天津大学电子信息工程学院
贺鹏鹏
天津大学
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纳米ZnO粉体形貌控制及光致发光特性研究
被引量:7
2016年
采用直接沉淀法制备纳米ZnO单结构粉体和复合结构粉体,利用SEM和PL方法表征分析样品。研究了不同煅烧温度对制备纳米ZnO单结构粉体影响,研究发现较高的煅烧温度可以制备出较高质量低缺陷,均匀性较好的纳米ZnO粉体。通过加入NaOH联合沉淀剂方法控制纳米ZnO复合结构粉体的形成,研究中发现这种较为复杂的ZnO复合结构粉体具有较高的缺陷态密度。
崔航
赵帆
张世林
关键词:
纳米ZNO粉体
直接沉淀法
形貌控制
光致发光
具有新型材料结构的锥形缝隙天线太赫兹波源及制作工艺
具有新型材料结构的锥形缝隙天线太赫兹波源及制作工艺,在主衬底的一端形成有锥形缝隙,在主衬底一侧面上有与主衬底结构相对应的上电极和下电极,位于主衬底无缝隙处的下电极嵌入在上电极下部的凹边内,在上电极和下电极相对的端面之间设...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
文献传递
太赫兹探测系统芯片的关键技术研究
太赫兹(THz)波是介于红外和毫米波之间的电磁波,频率为0.1THz到10THz。太赫兹波具有很多特殊性质,在国家安全、高频通信、人体透视、安检成像、生产检测、艺术品分析等方面有着非常大的应用潜力。太赫兹探测技术是太赫兹...
赵帆
关键词:
系统芯片
共振隧穿二极管
文献传递
一种太赫兹探测器芯片
一种太赫兹探测器芯片,有:第一MOS探测管和第二MOS探测管,用于对第一MOS探测管和第二MOS探测管接收到的信号进行整流后输出的直流信号进行放大的低噪声放大器,第一MOS探测管和第二MOS探测管的漏极共同连接低噪声放大...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
贺鹏鹏
文献传递
失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺
一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺,包括设置在主衬底上的左电极和右电极,右电极的左侧边嵌入在形成于左电极右侧下部的凹边内,且在左电极和右电极两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层,从而在主衬底、二氧...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
文献传递
一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源
一种具有新型材料结构的半球形透镜矩阵太赫兹波源,在半球形透镜,半球形透镜的下表面设置有由多个RTO发射单元构成的RTO矩阵,RTO矩阵位于半球形透镜下表面的圆心处。RTO矩阵是由2×2~32×32个RTO发射单元构成的矩...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
贺鹏鹏
文献传递
发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件
一种发射区In含量渐变集电区高In过渡层的RTD器件,有由下至上依次形成的衬底、缓冲层和发射区电极接触层,发射区电极接触层上分别形成有发射区和发射区金属电极,发射区上由下至上依次形成有渐变In含量结构、发射区隔离层及渐变...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
文献传递
失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺
一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源及制作工艺,包括设置在主衬底上的左电极和右电极,右电极的左侧边嵌入在形成于左电极右侧下部的凹边内,且在左电极和右电极两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层,从而在主衬底、二氧...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源
一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源,包括有超窄双阱的RTD器件,所述的超窄双阱的RTD器件的集电区金属电极上连接有第一矩形微带贴片天线,所述的超窄双阱的RTD器件的发射区金属电极上连接有第二矩形微带贴片天线...
毛陆虹
赵帆
郭维廉
谢生
张世林
文献传递
RTD串联电阻和峰值电压随温度变化的测量与分析
2014年
对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的I-V特性随温度(T)的变化进行了系统测量,并基于此I-V特性,采用第一正阻区斜率法和第二正阻区I-V特性法测量了RTD的直流串联电阻(Rs)。分析、比较了两种方法各自的特点,发现Rs随T的降低开始阶段增大,随着T进一步降低趋于一定值或略有升高后趋于一定值。结合峰值电流(Ip)和有效起始电压(Vi)随T的变化规律解释了峰值电压(Vp)随T的降低移向高电压的现象。
郭维廉
郭琦鹏
谢生
管坤
赵帆
张世林
王伊钿
毛陆虹
关键词:
共振隧穿二极管
串联电阻
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