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陈艳坤

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电池
  • 2篇钝化层
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇料层
  • 2篇漏电
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米孔
  • 2篇纳米孔阵列
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管结构
  • 2篇聚光
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇沟道
  • 2篇半导体
  • 2篇硅
  • 2篇掺杂

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇杨富华
  • 4篇陈艳坤
  • 4篇韩伟华
  • 4篇李小明
  • 2篇张严波
  • 2篇杜彦东
  • 2篇杨香

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法
一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池，包括：一Al/Si合金背电极；一p<Sup>+</Sup>背接触层，位于Al/Si合金背电极的上面；一p型晶硅材料层，位于p<Sup>+</Sup>背接触层的上面；一n<Sup>+</...
韩伟华陈艳坤李小明杨富华
聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法
一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池，包括：一Al/Si合金背电极；一p<Sup>+</Sup>背接触层，位于Al/Si合金背电极的上面；一p型晶硅材料层，位于p<Sup>+</Sup>背接触层的上面；一n<Sup>+</...
韩伟华陈艳坤李小明杨富华
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半导体晶体管结构及其制造方法
一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一...
张严波韩伟华杜彦东李小明陈艳坤杨香杨富华
半导体晶体管结构及其制造方法
一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一...
张严波韩伟华杜彦东李小明陈艳坤杨香杨富华
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