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马刘红

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇相变存储
  • 5篇相变存储器
  • 5篇存储器
  • 4篇自对准
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇晶体管
  • 3篇硅基
  • 2篇电脉冲
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻测试
  • 2篇电阻测试方法
  • 2篇掩模
  • 2篇填孔
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇自选择
  • 2篇无掩模
  • 2篇金属栅
  • 2篇晶面
  • 2篇晶态

机构

  • 11篇中国科学院

作者

  • 11篇杨富华
  • 11篇马刘红
  • 6篇付英春
  • 6篇韩伟华
  • 5篇杨香
  • 5篇王昊
  • 5篇周亚玲
  • 5篇王晓东
  • 4篇洪文婷
  • 2篇杨晓光
  • 2篇杨涛
  • 2篇吕奇峰

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从...
韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
文献传递
一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法
本发明涉及晶体管的制备方法，特别涉及一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法。采用MOCVD在III-V族材料上外延生长掺杂的纳米线阵列，并通过热剥离胶带和固定面板将纳米线转移，在硅基衬底上制备围栅结构的无结纳米线晶体管。本发...
马刘红韩伟华付英春洪文婷吕奇峰杨富华
文献传递
一种无结晶体管的电阻测试方法
本发明公开了一种无结晶体管的电阻测试方法，包括：制作由多个无结晶体管串连而成的有栅极结构和无栅极结构；这两组结构中多个无结晶体管的源级和漏极依次制作在两个相邻的接触台面上，且两个相邻接触台面之间通过导电通道连接，导电通道...
王昊韩伟华马刘红杨富华
文献传递
基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长
2015年
介绍了基于硅基图形衬底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质生长的方法,主要包括选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线和微通道外延薄膜。选区生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线可以有效控制Ⅲ-Ⅴ族纳米线的直径,并控制位错扩散,从而可以在硅衬底上生长出高晶体质量的Ⅲ-Ⅴ族材料。同时,微沟道外延可以将位错限制在外延材料中极小范围内,保证外延材料的器件层晶体质量良好。微沟道外延分为两种形式:垂直生长和横向生长,原理分别是高深宽比陷阱和横向过生长。通过这两种生长形式,可以分别制备纳米条及纳米薄膜。硅基图形衬底的设计为Ⅲ-Ⅴ族材料在硅基衬底上集成提供了有效的途径,势必成为Ⅲ-Ⅴ族材料和硅异质集成的主流方法之一。
吕奇峰洪文婷马刘红王昊韩伟华杨富华
基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法
本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对...
付英春周亚玲王晓峰杨富华马刘红杨香王晓东
文献传递
垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法
本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺...
付英春王晓峰周亚玲杨富华马刘红杨香王晓东
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从...
韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
文献传递
基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法
本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对...
付英春周亚玲王晓峰杨富华马刘红杨香王晓东
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基于锥形衬底的相变存储器的制备方法
本发明提出了一种基于锥形衬底的相变存储器的制备方法。基于绝缘锥形衬底的相变单元，电极电场在相变材料中设计的局部区域(锥形衬底顶端上方)得以增强，诱导相变。这样就可以在不缩小相变材料物理体积的情况下，减小有效的相变体积，从...
付英春马刘红杨富华王晓峰周亚玲杨香王晓东
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垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法
本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺...
付英春王晓峰周亚玲杨富华马刘红杨香王晓东
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