丁永凡
- 作品数：10 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程更多>>
- 低温生长的Ge／Si超晶格界面结构的X射线散射研究
- 2002年
- 低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
- 吴小山谭伟石蒋树声吴忠华丁永凡曾鸿祥
- 关键词：X射线粗糙度光电特性
- 北京同步辐射实验装置4B9A光束线升级改造
- 4B9A光束线目前采用的单色器是Si(111)平行双晶单色器以保证单色光以固定出口出射.Si(111)具有反射率高,热膨胀系数低以及能有效抑制次级污染等优点.但它同时也对双晶的平行程度极其敏感.双晶平行度的破坏将极大减弱...
- 丁永凡
- 关键词：单色器能量分辨率
- 文献传递
- 同步辐射二维小角X光散射实验装置的建立与应用被引量：2
- 2002年
- 与一维小角散射实验法相比 ,二维小角X光散射实验法可用于研究非球对称的体系 ,即可探测物质中取向体系的颗粒度 (或孔径 )的变化、颗粒 (或孔 )形状的变化等信息 .介绍了北京同步辐射装置二维小角X光散射实验设备的建造及所建立的分析方法 ,并用于研究不同活化剂条件下制备出来的沥青基活性炭纤维中孔分布的变化 ,得到了炭纤维中的孔的平均体积随活化剂中NH3含量的降低而变大的结论 .
- 柳义董宝中王俊丁永凡吴忠华李志宏李开喜吴东
- 关键词：炭纤维活化剂孔径分布
- 489A束线改造进展
- 2002年
- 本文主要报导北京同步辐射装置489A束线的改造状况及其进展．
- 吴忠华陈中军肖向辉洪新国丁永凡
- 关键词：同步辐射装置单色器实验站热负荷稳定性储存环
- 低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究(英文)被引量：3
- 2003年
- 低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致。
- 吴小山谭伟石蒋树声吴忠华丁永凡曾鸿祥
- 关键词：MBEX射线散射硅锗
- FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后的微结构分析
- 2002年
- 研究了FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜，利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征，得到结果如下：插入Bi之前，在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在，插入Bi之后，FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且，在FeMn/Co界面处Fe，Mn，和Co的元素分布不相同。
- 麦振洪王俊丁永凡吴忠华王勇刘翠秀
- 关键词：BI微结构磁控溅射法
- 北京同步辐射装置4B9A光束线
- 吴忠华陈中军丁永凡何伟付永利盛伟凡许正安杨世顺满卫东杨洋
- 4B9A光束线是北京同步辐射装置（BSRF）上用于X射线衍射（XRD）和X射线小角散射（SAXS）的一条光束线。在束线的上游装备有超环面镜，用于使同步辐射光在水平和垂直两个方向上聚焦。束线的中游装备有Si（111）双平晶...
- 关键词：
- 关键词：光束线单色器
- 4B9A束线单色器的改进及在线调试
- 2004年
- 报导了北京同步辐射装置4B9A束线前期改造中单色器的改进安装调试情况,并对单色器出高的变化和实际光强进行了测量。结果表明:4B9A束线的前期改造已解决了单色器出高的变化问题,为衍射站和小角站的工作创造了条件。
- 陈中军吴忠华肖向辉洪新国丁永凡董宝中
- 关键词：单色器光束线
- 磁性[Co（t）／Cu]n周期多层膜的结构与巨磁电阻效应被引量：1
- 2001年
- 用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
- 吴小山谭伟石游彪陈佐子蒋树声王俊丁永凡吴忠华
- 关键词：巨磁电阻磁控溅射
- 低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究
- ＜正＞纳米结构的 Ge/Si 超晶格或 SiGe 合金由于其优异的光电特性近年来受到人们的青睐。高温下（500-700℃）用 Stranski-Krastanov 方法生长的三维 Ge 团簇结构（或纳米结构,3D-Ge ...
- 吴小山谭伟石杨立黄秀清蒋树声吴忠华丁永凡曾鸿祥
- 文献传递
