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于治国

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇等离激元
  • 5篇GAN
  • 5篇表面等离激元
  • 4篇填充层
  • 4篇通信
  • 4篇隔离层
  • 4篇光通信
  • 4篇光通信用
  • 4篇发光
  • 4篇衬底
  • 3篇纳米
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光效
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇高光效
  • 2篇单芯片
  • 2篇倒装
  • 2篇电极
  • 2篇双波段
  • 2篇速率方程

机构

  • 18篇中国科学院

作者

  • 18篇于治国
  • 15篇赵丽霞
  • 14篇李晋闽
  • 14篇王军喜
  • 9篇魏学成
  • 5篇朱石超
  • 5篇杨超
  • 4篇曾一平
  • 4篇张连
  • 4篇刘磊
  • 3篇姜磊
  • 3篇李智勇
  • 1篇孙雪娇

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法
本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED...
于治国赵丽霞魏学成王军喜李晋闽
文献传递
表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法
一种表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长n型InAlGaN层、非掺杂或掺杂的多量子阱层、p型InAlGaN层和电流扩展层；步骤2：利用光刻和干法刻蚀工艺在电流扩展层上向下...
朱石超赵丽霞于治国孙雪娇王军喜李晋闽
文献传递
氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器及其制备方法
提供一种氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器，包括：衬底，介质层，探测器层，覆盖层，电极单元。介质层形成于衬底上；探测器层形成于介质层上并被覆盖层包覆，探测器层包括：氮化硅波导，用于低损耗传输光信号；椭圆谐振腔，设置于氮化硅...
李智勇殷煜翔于航涂东河于治国关欢田立飞姜磊
一种测量LED内量子效率的方法
本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激...
魏学成赵丽霞张连于治国王军喜曾一平李晋闽
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一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法
本发明公开了一种利用光致发光谱测量GaN基LED极化电场的方法，该方法包括制作GaN基LED测试样品，利用激光完全辐照所述测试样品并测量其输出的光电流和光电压，对所述测试样品的n电极接正电压，p电极接负电压，形成反向偏压...
魏学成赵丽霞张连于治国王军喜曾一平李晋闽
文献传递
可见光通信用倒装RCLED及其制备方法
本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n...
杨超赵丽霞朱石超刘磊于治国王军喜李晋闽
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具有横向三角孔结构的多孔GaN及其光解水性能
杨超于治国席鑫曹海城赵丽霞
一种电光调制器
本公开提供了一种电光调制器，包括调制器主体和均衡电路；均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第一N型掺杂区连接第一电极和信号输入端，第一P型掺杂区连接第二电极和电极臂，第一电极和第二电极用于...
李智勇于航殷煜翔涂东河关欢于治国姜磊
表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法
本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁...
于治国赵丽霞魏学成王军喜李晋闽
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垂直阵列纳米柱LED的制备方法
一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法，该方法包括：步骤1：在平面结构LED外延片上生长一层Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层；步骤2：在Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层上制备纳...
于治国赵丽霞魏学成王军喜李晋闽
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