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余旭明

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇电路
  • 7篇功率放大
  • 7篇功率放大器
  • 7篇放大器
  • 5篇微带
  • 5篇芯片
  • 4篇检波
  • 4篇管芯
  • 3篇匹配电路
  • 3篇偏置
  • 3篇微带电路
  • 3篇零偏
  • 3篇晶体管
  • 3篇功放
  • 3篇功放芯片
  • 3篇功率合成
  • 3篇毫米波
  • 2篇单刀双掷
  • 2篇单刀双掷开关
  • 2篇电气

机构

  • 20篇中国电子科技...

作者

  • 20篇余旭明
  • 17篇陶洪琪
  • 6篇金辉
  • 5篇王维波
  • 3篇任春江
  • 3篇陈堂胜
  • 2篇张斌
  • 2篇牛斌
  • 2篇韩群飞
  • 2篇张巍
  • 1篇黄念宁
  • 1篇刘海琪

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 8篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 2篇2012
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种地孔复用的可堆叠开关功放芯片
本发明涉及微波集成电路技术领域，具体涉及一种地孔复用的可堆叠开关功放芯片，包括衬底以及采用半导体工艺集成在衬底上的有源区、射频匹配网络、直流馈电压点、输入输出键合压点和复用地孔；本发明所设置的复用地孔有多方面的作用，一方...
杨常林余旭明陶洪琪金辉吴喆
一种双凹槽场板结构氮化物高电子迁移率晶体管制造方法
本发明公开了一种双凹槽场板结构氮化物高电子迁移率晶体管制造方法，通过光刻定义第一次凹槽的位置，刻蚀介质层、去除光刻胶、以第一层介质层为掩膜刻蚀势垒层后获得第一次凹槽，第二次凹槽通过淀积第二层介质层、大面积刻蚀去除第二层介...
任春江陈堂胜刘海琪余旭明
文献传递
一种均匀散热的串管结构GaN管芯
本发明提出一种均匀散热的串管结构GaN管芯。包括设置在衬底上的有源区、功率分配网络、功率合成网络，在衬底上垂直于栅条的方向设置有至少一个散热槽，散热槽将有源区隔离为至少两个以上的有源子区，每个有源子区之间相互串联连接并共...
张斌余旭明陈堂胜任春江
文献传递
一种平面背靠背功率合成的功放芯片电路
本发明涉及微波集成电路技术领域，具体涉及一种平面背靠背功率合成的功放芯片电路，包括输入键合压点RFin_PAD、功率分配微带线MSL1、衔接微带MSL2、π型衰减器、背靠背布版的功率放大器PA1、背靠背布版的功率放大器P...
金辉陶洪琪余旭明肖玮周衍芳杨常林
与GaN功率放大器集成的预匹配紧凑型耦合检波电路芯片
本发明公开了与GaN功率放大器集成的预匹配紧凑型耦合检波电路芯片，包括设置在衬底上的有源区、射频输出匹配网络、耦合微带电路、预匹配电路以及检波电路，耦合微带电路与射频输出匹配网络共用一段微带线，预匹配电路将耦合出的射频功...
金辉陶洪琪余旭明叶川
一种基于三阶互调幅相控制的毫米波高线性Doherty功率放大器
本发明公开了一种基于三阶互调幅相控制的毫米波高线性Doherty功率放大器，包括功分器、三阶互调分量幅度控制输入匹配网络、三阶互调分量相位控制输入匹配网络、级间匹配网络、载波三阶互调分量幅相控制输出匹配网络、峰值三阶互调...
彭晨睿郭润楠陶洪琪余旭明马明明
分散式镜像高功率管芯
本发明涉及一种分散式镜像高功率管芯，所述管芯包括基板、HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔，所述HEMT晶胞1a、1b、1c、1d、功率分配网络、功率合成网络及源条接地散热通孔...
张斌余旭明陈堂胜任春江黄念宁
文献传递
有源匹配结合无源匹配的6-18GHz功率放大器及实现方法
本发明公开了一种有源匹配结合无源匹配的6‑18GHz功率放大器，包括无源输入匹配网络、有源输入匹配网络、无源级间匹配网络、有源级间匹配网络、无源输出匹配网络、有源输出匹配网络、第一晶体管、第二晶体管；采用有源匹配和无源匹...
陶洪琪王光年余旭明
与GaN功率放大器集成的预匹配紧凑型耦合检波电路芯片
本发明公开了与GaN功率放大器集成的预匹配紧凑型耦合检波电路芯片，包括设置在衬底上的有源区、射频输出匹配网络、耦合微带电路、预匹配电路以及检波电路，耦合微带电路与射频输出匹配网络共用一段微带线，预匹配电路将耦合出的射频功...
金辉陶洪琪余旭明叶川
一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器
本发明公开了一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，包括功率放大单元、漏偏置电路结构和栅偏置电路结构；所述功率放大器单元采用单级或者多级晶体管组成；每一级晶体管的漏极加电网络采用漏偏置电路结构，每一级晶体管的...
韩程浩陶洪琪余旭明王子健杜泽浩
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