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卫芬芬

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇中文专利

领域

  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 17篇存储器
  • 16篇相变存储
  • 16篇相变存储器
  • 14篇相变材料
  • 10篇相变
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 5篇绝热层
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇电极
  • 4篇驱动电路
  • 4篇脉冲
  • 4篇化物
  • 4篇存储密度
  • 3篇电流脉冲
  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米线阵列
  • 3篇棱台
  • 3篇功耗

机构

  • 24篇中国科学院

作者

  • 24篇黄荣
  • 24篇卫芬芬
  • 24篇张杰
  • 24篇程国胜
  • 24篇孔涛
  • 6篇王龙
  • 2篇苏瑞巩
  • 2篇刘永萍
  • 2篇张琦

年份

  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 14篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极
本发明提供的相变存储器接触电极的制备方法和相变存储器接触电极，在沉积有金属催化剂层的加热电极表面沉积石墨烯层，有效利用了石墨烯的高平整度，而且仅在覆盖有催化剂的加热电极表面进行沉积，无需进一步的平坦化工艺，工艺简单；同时...
孔涛卫芬芬黄荣张杰程国胜
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一种相变存储单元及其制备方法
本发明提供了一种相变存储单元，包括：衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料...
程国胜卫芬芬孔涛黄荣张杰
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一种成分可调的三元(Sb<Sub>1-x</Sub>Bi<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>纳米线的制备方法
本发明公开了一种成分可调的(Sb<Sub>1-x</Sub>Bi<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>纳米线的制备方法，包括：（1）提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由Sb<Su...
程国胜黄荣孔涛卫芬芬张杰
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一种新型相变存储单元结构
本实用新型公开了一种新型相变存储单元结构，包括依次沉积于衬底上的第一电极层、氮化物绝缘材料层、相变材料层和第二电极层，所述氮化物绝缘材料层内设置有加热电极，所述加热电极分别与第一电极层和相变材料层电性接触，并且相变材料层...
程国胜卫芬芬孔涛张杰黄荣
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一种相变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种相变存储单元及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱...
孔涛黄荣张杰卫芬芬程国胜
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多功能集成的纳米线阵列制备方法
本发明公开了一种多功能集成的纳米线阵列制备方法。该方法为：首先在纳米线阵列表面覆盖一层有机高分子溶液，真空环境下静置使有机高分子均匀渗透入纳米线之间，继而利用匀胶的方法得到平整的表面；然后使用干法去胶工艺处理表面，暴露部...
程国胜孔涛苏瑞巩张琦黄荣刘永萍张杰卫芬芬
相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元
本发明提供的相变存储器单元的制备方法，采用吸附有金纳米颗粒的衬底，以由锡粉末和碲化锗粉末组成的混合物作为蒸发源，将上述蒸发源与衬底置于水平管式炉内，在一定的条件下进行化学反应，得到沉积有锡掺杂碲化锗纳米线的衬底，将上述衬...
程国胜张杰孔涛黄荣卫芬芬
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相变存储器驱动电路及置位和复位方法
本发明提出一种相变存储器驱动电路，其包括相变电路、用于提供置位电流和复位电流的置位复位电路、用于提供读电流的读电路及控制操作电流脉冲时序的开关电路，所述相变电路、所述置位复位电路及所述读电路均一端连接所述开关电路、另一端...
程国胜王龙孔涛卫芬芬黄荣张杰
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相变存储器驱动电路及方法
本发明涉及一种相变存储器驱动电路及方法。本发明的相变存储器驱动电路，包括：普通脉冲源、控制开关、选通器、相变电阻和皮秒脉冲发生器，所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连，所述皮秒脉冲发生器...
程国胜王龙孔涛卫芬芬黄荣张杰
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一种相变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种相变存储单元及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱...
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