史同飞
- 作品数：13 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析
- 2011年
- 利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化。
- 蔡娟露程兴华钟玉杰何志刚何志刚史同飞龚敏
- 关键词：GAMNAS遗传算法XRD红外光谱
- Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究被引量：5
- 2008年
- 利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.
- 吴文清史同飞张国斌符义兵潘志云孙治湖闫文盛徐彭寿韦世强
- Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的XAFS研究被引量：1
- 2007年
- 利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.
- 史同飞朱三元吴文清张国斌闫文盛孙治湖刘文汉韦世强
- 关键词：XAFS溶胶-凝胶法
- Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究被引量：5
- 2007年
- 利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%,36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64样品则明显出现Ge3Mn5相的衍射峰,且Ge3Mn5的比例随着Mn的含量升高而增加.XAFS结果表明,对于Mn0.07Ge0.93样品,Mn主要以替代位的形式存在,占75%左右的比例;在Mn0.25Ge0.75和Mn0.36Ge0.64的样品中,除了一小部分的Mn原子以替代位的形式存在之外,大部分Mn原子以Ge3Mn5化合物的形式存在.
- 孙玉孙治湖朱三元史同飞叶剑潘志云刘文汉韦世强
- 关键词：磁控溅射XRDXAFS
- 超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究
- 2011年
- 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.
- 苏平龚敏马瑶高博石瑞英陈昶史同飞曹先存孟祥豪罗代升
- 关键词：应变弛豫
- ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究
- 稀磁半导体(DMS)能够实现电荷和自旋的同时操纵，可以极大地提高磁存储的传输速率，因而受到了广泛的关注。在本论文中，制备了平衡态生长方式(sol-gel)和非平衡态生长方式(磁控溅射、CVD、PLD)的不同浓度的单掺杂和...
- 史同飞
- 关键词：ZNO稀磁半导体DMS共掺杂过渡金属原子
- Ga1-zMnzAs的拉曼光谱
- @@引言： 近年来，半导体自旋电子学得到了迅速发展，1996年，Ohno等通过低温分子束外延(MBE)的方法制备出稀磁半导体GaMnAs，这引发了人们对Mn掺入GaAs的研究兴趣。在GaMnAs中，二价Mn离子取代Ga的...
- 苏平龚敏马瑶石瑞英曹先存史同飞孟祥豪
- 文献传递网络资源链接
- 电荷耦合效应对高耐压沟槽栅极超势垒整流器击穿电压的影响
- 2021年
- 通过沟槽结构和可调节的电子势垒,沟槽栅极超势垒整流器可以更为有效地实现通态压降和反向漏电流之间的良好折衷.在高压应用时,电荷耦合效应对于提高该器件的反向承压能力起到了关键作用.本文通过理论模型与器件模拟结果,分析了沟槽深度、栅氧厚度和台面宽度等关键参数对电荷耦合作用下二维电场分布的影响,归纳出了提高该器件击穿电压的思路与方法,为器件设计提供了有意义的指导.在此基础上,提出了阶梯栅氧结构,该结构在维持几乎相同击穿电压的同时,使正向导通压降降低51.49%.
- 徐大林王玉琦李新化史同飞
- 关键词：击穿电压
- 基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列被引量：1
- 2015年
- Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是稳定的,因此阻碍了Au催化刻蚀反应,而Ti与反应溶液快速反应,不影响Au对Si衬底化学刻蚀的催化作用。基于以上工作,以PS球为模板沉积制备Ti/Au(3nm/20nm)优质膜,使用金属辅助化学刻蚀,制备了有序的Si纳米线阵列。
- 段花花李新化周步康史同飞李宁陈健王玉琦
- 关键词：SI纳米线
- NiO透明导电薄膜的制备及在聚合物太阳能电池中的应用被引量：6
- 2012年
- 采用磁控溅射法制备出透明导电氧化物NiO薄膜.椭偏(SE)测试表明NiO薄膜在可见光区域透光性良好,通过调节生长、退火温度可调控NiO的折射率.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)手段研究表明,通过退火、改变衬底温度等,可有效改变Ni薄膜的晶体结构以及表面形貌,实现对NiO导电性的调控.采用优化后的NiO材料为阳极阻挡层制备出的聚合物太阳能电池器件的效率为2.26%,是同等条件下采用PEDOT:PSS阻挡层的电池器件的3倍以上.
- 肖正国曾雪松郭浩民赵志飞史同飞王玉琦
- 关键词：聚合物太阳能电池
