史淑廷
- 作品数：48 被引量：50H指数：5
- 供职机构：中国原子能科学研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 大容量SRAM单粒子效应测试系统的设计和验证
- 和大气环境中的高能粒子可能致使航天器和近地空间飞行器的半导体器件发生单粒子效应,威胁其可靠性和寿命.静态随机存储器(SRAM)是航天器和近地空间飞行器电子学系统的重要组成部分,对SRAM单粒子效应的研究是充分认识单粒子效...
- 范辉刘建成郭刚沈东军史淑廷蔡莉何安林
- 关键词：航天器电子系统静态随机存储器单粒子效应虚拟仪器技术
- 单粒子翻转二维成像技术被引量：5
- 2012年
- 为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。
- 史淑廷郭刚王鼎刘建成惠宁沈东军高丽娟苏秀娣陆虹
- 现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展
- 了国际上纳米集成电路低能质子单粒子效应,高能质子与高Z器件材料核反应等研究进展.介绍了北京HI-13串列加速器低能质子辐照实验研究,实验针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器,实验结果显示低...
- 何安林郭刚沈东军宋雷刘建成史淑廷范辉
- 关键词：航天器纳米集成电路单粒子效应
- 单粒子试验重离子束流诊断装置
- 本实用新型属于器件抗单粒子效应性能评估试验技术，具体涉及一种单粒子试验重离子束流诊断装置及相关测量方法。单粒子试验重离子束流诊断装置设置在样品辐照靶室内，在样品辐照靶室的束流入口处设有由多路探测器组成的监督器组，探测器分...
- 沈东军郭刚陈泉刘建成史淑廷惠宁王慧
- 文献传递
- 一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
- 本发明属于重离子微束辐照技术领域，具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路，定位测试电路的边缘内部为敏感区域，重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
- 柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
- 一种用于单粒子效应辐照实验的样品座
- 本实用新型属于单粒子效应辐照实验温控技术领域，具体涉及一种用于单粒子效应辐照实验的样品座，用于在加速器的真空靶室(11)中对进行单粒子效应辐照实验的样品芯片(12)进行温度控制，其特征是：所述样品座(1)的上半部分为设置...
- 蔡莉郭刚刘建成史淑廷惠宁李丽丽
- 文献传递
- HI-13串列加速器上238U束流引出及调试技术研究
- 拓展单粒子效应实验用离子的LET值上限,在北京HI-13串列加速器上对238U靶锥制备技术、离子源引出技术以及在终端上高电荷态238U离子的引出技术进行了研究,已初步获得不同化合物形式的238U材料对离子源引出流强数据,...
- 史淑廷何安林蔡莉郭刚游曲波王贵良刘建成李怀林沈东军惠宁范辉
- 关键词：航天器电子器件HI-13串列加速器单粒子效应
- p-n结脉冲激光诱发电荷收集试验研究
- 2012年
- 测量了脉冲激光诱发半导体p-n结的瞬态脉冲电流,研究瞬态脉冲幅值和收集电荷与能量、偏压及入射位置的相关性。研究结果表明,瞬态脉冲信号幅值和收集到的总电荷随脉冲激光能量的增大而增多,与激光能量呈指数关系;收集电荷随偏压而增大;敏感区内的收集电荷数相差不大,远离敏感区的收集电荷明显减小。另外,将研究结果与重离子试验数据进行比对,两者有一定的相似性,但电荷收集脉冲幅值、脉冲波形有一定的差异。其结果为深入研究激光模拟单粒子效应技术奠定了基础。
- 薛玉雄杨生胜郭刚把得东安恒田恺曹洲史淑廷沈东军
- 关键词：脉冲激光电荷收集单粒子效应
- 加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用被引量：3
- 2015年
- 为满足国内半导体器件单粒子效应（SEE）截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转（SEU）截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。
- 蔡莉刘建成范辉郭刚史淑廷惠宁王惠王贵良沈东军何安林
- 关键词：重离子单粒子效应单粒子翻转
- 65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
- 2017年
- 利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
- 李丽丽郭刚蔡莉池雅庆刘建成史淑廷惠宁韩金华
- 关键词：静态随机存储器重离子
