奚中和
- 作品数：29 被引量：82H指数：5
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 具有三维中空结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- 新型纳米功能材料被引量：7
- 2004年
- 讨论了纳米材料复合薄膜的结构和特性 ,涉及到与力学、防护、电池等特性有关的结构 ,重点分析了电学、光学、光电特性 ,如新型纳米线复合光电池 ,氧化锌 (Zn O)纳米棒阵列的结构和荧光发射 ,以及金属纳米线阵列的制备和场发射特性。金属纳米线阵列场发射的高分辨 ,结构完美 ,工艺简单和极低的成本 。
- 薛增泉奚中和邢英杰张耿民宋教花申自勇侯士敏高崧赵兴钰张琦锋刘惟敏吴锦雷
- 关键词：纳米功能材料电学特性光学特性光电特性显示器
- 硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究被引量：11
- 2003年
- 该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响.
- 邢英杰奚中和俞大鹏杭青岭严涵斐冯孙齐薛增泉
- 关键词：硅纳米线一维纳米材料
- 具有三维中空结构的硅及其制备方法
- 本发明公开了一种具有三维中空结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维中空结构的硅的三维结构具有类似于屋顶的外形，即，底面为长方形，侧面为两对相同大小的三角形和梯形，底面长方形的长度等于该屋顶形的屋...
- 奚中和吴越张耿民崔宏宇郭等柱
- 文献传递
- 石墨基底上垂直生长碳纳米管为芯的碳锥结构被引量：4
- 2007年
- 采用一种改进的化学气相沉积方法,成功地在石墨基底上自组装生长出以碳锥为支撑的、碳纳米管为芯的新型功能材料.该结构的材料可以用作扫描电子显微镜探针和场发射电子显微镜的针尖.利用电子显微镜研究了不同合成条件对该碳纳米管与碳锥结构生长的影响,给出了最优生长条件,并讨论了生长机制.
- 张暐奚中和薛增泉
- 关键词：碳纳米管化学气相沉积场发射
- 碳纤维复合单根碳纳米管及其制备方法
- 本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳...
- 薛增泉奚中和张耿民张暐王胜吴越王晶云梁学磊吴锦雷彭练矛赵兴钰
- 文献传递
- a-Si:H光导成像器件
- 2000年
- 利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中,也可用于X射线图像显示及通常的静电复印机中。 a-Si:H薄膜静电成像器件采用干成像原理。
- 奚中和
- 关键词：摄像管
- 硅烷等离子体光发射谱的空间特性及其对沉积速率的影响
- 1993年
- 探测等离子体光发射谱(OES)强度的二维空间分布,借助其峰值大小和峰位变动及输运因子概念来描写和全面探讨了它们的分布特性,特别是等离子体中成膜物质基团的输运特性,以寻求高速沉积的途径。实验结果说明,输运特性和等离子体参量(功率、流量、压强、偏压)之间有很强的依赖关系。而且对于SiH~*和H_α~*来说有不尽相同的规律。这些结果对于深入研究成膜机理无疑是重要的。
- 晏继文张光华冯意炯奚中和
- 关键词：OES硅烷输运性质
- nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析被引量：5
- 1998年
- 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿．
- 彭英才刘明余明斌余明斌奚中和李月霞
- 关键词：半导体量子点
- 氧化钨微米管及其制备方法
- 一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称，直径为1至6微米，长度为5至10微米。所述的制备方法包括步骤：(1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中；(2)通入保护气体，除去反应腔室内空气，并使腔内压强保...
- 奚中和张耿民吴越郭等柱
- 文献传递
