常秀英
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- InAs单量子点中级联辐射光子的关联测量被引量：1
- 2011年
- 利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度随激发功率的变化及对应发光峰的偏振特性和精细结构劈裂.基于Hanbury-Brown Twiss(HBT)实验,测量了单、双激子间发光光谱的关联函数,证实了其发光过程为级联发射过程.
- 李园窦秀明常秀英倪海桥牛智川孙宝权
- 关键词：荧光光谱
- 电场调谐InAs单量子点的发光光谱
- 2010年
- 采用稳态和时间分辨发光光谱,研究了生长在p-i-n二极管结构内的InAs单量子点发光光谱的电场调谐特性.随着电场强度的增加,观察到量子点中激子发光的Stark效应.通过选择不同波长的激光线激发量子点样品,发现随着电场强度的增加导致量子点发光强度的减弱,这是由于量子点俘获载流子概率的减小所致,而激子寿命的增加源于电场导致激子的Stark效应.
- 常秀英窦秀明孙宝权熊永华倪海桥牛智川
- 关键词：STARK效应
- 基于InAs单量子点的单光子干涉
- 2011年
- 利用分子束外延生长InAs单量子点样品,测量了温度为5K时单量子点的荧光(PL)光谱.采用时间关联光子强度测量(HBT)验证了PL光谱具有单光子发射特性.单光子通过马赫曾德尔(MZ)干涉仪,验证了单光子自身具有干涉特性.测量了当MZ干涉仪两臂偏振方向的夹角改变时对应的单光子干涉及条纹可见度的变化.
- 李园窦秀明常秀英倪海桥牛智川孙宝权
- InAs单量子点物理和器件研究
- InAs单量子点物理和器件研究含有丰富的物理内涵和固态单光子发射器件应用的前景。其量子点物理研究方面：单量子点具有类原子特性，是典型的二能级体系，是研究单量子态物理理想的系统。从实验角度，对单量子态、纠缠态的研究有助于对...
- 孙宝权窦秀明常秀英熊永华倪海桥牛智川
- 关键词：量子力学纠缠态
- 文献传递
