张淑芳
- 作品数：57 被引量：66H指数：4
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置
- 本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，...
- 刘丹方亮黄中浩刘毅林鸿涛吴旭张淑芳吴芳
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- 一种湿法刻蚀的水洗干燥装置
- 本发明公开了一种湿法刻蚀的水洗干燥装置；所述水洗干燥装置包括水洗腔和风干腔；所述水洗腔用于容纳并冲洗基板，所述风干腔用于容纳并风干基板，所述水洗腔与风干腔连通；所述水洗腔的入口处设有向基板表面吹气的气帘风刀，所述气帘风刀...
- 刘丹方亮黄中浩刘毅林鸿涛吴旭张淑芳吴芳
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
- 本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，...
- 方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
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- 一种用于PAN型刻蚀液湿法刻蚀的抑菌水洗干燥装置
- 本发明公开了一种用于PAN型刻蚀液湿法刻蚀的抑菌水洗干燥装置；所述抑菌水洗干燥装置包括依次连接的第一水洗区间、第二水洗区间和风干区间；所述抑菌水洗干燥装置还包括抑菌循环系统，所述抑菌循环系统包括抑菌循环管和抑菌循环泵，所...
- 刘丹方亮黄中浩陈国良吴芳张淑芳刘高斌管飞吴波熊永吴旭林鸿涛
- 一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置
- 本发明公开了一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置按照基板的传输方向依次设有干区间、刻蚀区间、缓冲区间、水洗区间和风干区间；所述刻蚀区间内设有第一磁铁装置，所述缓冲区间内还设有第二磁铁装置，所述湿法刻蚀装置还...
- 刘丹方亮黄中浩陈国良管飞宋群梁陈渝吴芳张淑芳刘高斌罗旭熊永吴旭林鸿涛
- 一种防护效果好的电子信息展示架
- 本实用新型公开了展示架技术领域的一种防护效果好的电子信息展示架，包括底部四角固定连接有带刹车装置的万向轮的底座，底座的顶部中央垂直焊接有立柱，立柱的外壁左侧通过开设竖向凹槽镶嵌焊接有齿条，立柱的外壁滑动套接有移动套筒，利...
- 张淑芳吴焱岷胡云冰余平
- 一种计算机信息安全设备加工装置
- 本实用新型公开了计算机信息技术领域的一种计算机信息安全设备加工装置，包括水箱，水箱有第一驱动电机，第一驱动电机有转动杆，转动杆有螺纹槽，转动杆有直板，直板有n形槽，直板有n形罩，n形罩与水箱连接，直板有L形板，水箱有横板...
- 张淑芳张国卿余平
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- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
- 本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法，其工艺步骤为：1)在P型GaN上以物理气相沉积方式，沉积第一导电层；第一导电层厚度范围2到100埃；2)在第一导电层上以物理气相沉积方式，沉积CdIn<Sub>2</...
- 方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
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- 湿法刻蚀条件对TFT中Cu电极坡度角和均一性的影响及工艺参数优化
- 2024年
- 目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma,APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,进而提升良率。方法 以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间为影响因素,以关键尺寸偏差(CD Bias)、均一性、坡度角作为因变量,开展正交试验,明确因素影响重要性顺序;然后,对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析;最后,采用回归分析获得刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式。结果 结果表明:刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大,对APP清洁时间和功率的影响较小。刻蚀时间延长,关键尺寸偏差(CD Bias)增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓坡度角,应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为:刻蚀时间85 s,APP电压9 kV,APP传输速度5 400 r/min。结论 刻蚀时间延长,未被光刻胶覆盖的Cu膜层被完全刻蚀,形成台阶,该台阶使刻蚀液形成回流路径。沿着回流路径,刻蚀液浓度、温度逐渐下降,刻蚀均一性由此恶化,坡度角因此增加。采用回归分析得到的刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式,为预测刻蚀效果和优选刻蚀时间提供了依据。
- 刘丹陈国良黄中浩方亮李晨雨陈启超吴芳张淑芳
- 关键词：薄膜晶体管湿法刻蚀CU电极
- 衬底温度对磁控溅射氮化铝薄膜组成的影响
- 采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了AlN薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成.结果表明,AlN薄膜主要含有AlN,存在少量Al2O3及一些其它杂质;随着基片温...
- 张淑芳方亮付光宗董建新彭丽萍
- 关键词：氮化铝薄膜磁控溅射衬底温度玻璃衬底
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